[发明专利]一种电连接器贮存条件下接触电阻的计算方法

权利要求书

1.一种电连接器贮存条件下接触电阻的计算方法，其特征在于，具体包括：

S1，对电连接器的接触表面进行测定，得到三维W-M函数的初始参数值；

S2,基于初始参数值确定的三维W-M函数建立电连接器的两个接触表面模型；

S3，基于电连接器的两个接触表面模型得到两个剖面骨架图；

S4，基于预设分量在两个剖面骨架图的对应位置分别选择两条二维曲线，并比较二维曲线的高度，从而判断接触表面产生的是膜层电阻或收缩电阻，以及，确定接触斑点与氧化膜斑点的数量和直径；

S5，重复执行步骤S4，直至完成X轴区间范围所有二维曲线的选取，从而确定电连接接触面的所有氧化膜斑点数量和接触斑点；

S6，基于每个接触斑点与氧化膜斑点的直径，以及所有接触斑点与氧化膜斑点的数量计算得到膜层电阻值和收缩电阻值，从而得到接触电阻值。

2.根据权利要求1所述的电连接器贮存条件下接触电阻的计算方法，其特征在于，步骤S1中，对电连接器的接触表面进行测定，得到三维W-M函数的初始值，具体包括：

S11、测定接触表面的高度，从而得到多个切面的Z(x)曲线，即二维W-M函数

S12、对二维W-M函数进行傅里叶变化得到表面轮廓的功率谱

S13、对功率谱两边取对数，得到

S14，基于lgP(ω)和lgω的线性关系和被测表面的轮廓计算得到分形维数D，和尺度参数G。

3.根据权利要求1所述的电连接器贮存条件下接触电阻的计算方法，其特征在于，步骤S1中，对电连接器的接触表面进行测定，得到三维W-M函数的初始值，具体包括：

S11’，测定接触表面的粗糙度Ra；

S12’基于粗糙度Ra，以及公式(1)和公式(2)分别得到分形维数D和尺度参数G，

4.根据权利要求2或3任一项所述的电连接器贮存条件下接触电阻的计算方法，其特征在于，步骤S2中，基于确定初始参数值的三维W-M函数建立电连接器的两个接触表面模型,具体包括：

基于初始参数值确定的三维W-M函数来生成两个接触表面微观图，用于模拟电连接接触面的接触过程，其中三维W-M函数为

L为采样长度，D为三维下的分形维数，2D3，G为尺度参数，γ为曲线相位的随机性和频率，m为接触表面围观图的凸起和凹陷的数量比例，n为自然数序列，φ_m,n为在(0,2π)区间服从均匀分布的随机数。

5.根据权利要求4所述的电连接器贮存条件下接触电阻的计算方法，其特征在于，步骤S3具体包括：将两个接触表面微观图沿X轴剖面方向切开，从而分别得到第一接触面和第二接触面的单根线条剖面骨架图。

6.根据权利要求4所述的电连接器贮存条件下接触电阻的计算方法，其特征在于，步骤S4具体包括：

S41,基于预设分量分别选取第一接触面和第二接触面的单根线条剖面骨架图的X轴上同一位置的二维曲线；

S42,计算两条曲线的高度差Δz＝z₁(x,y)-z₂(x,y)-λ，其中z₁(x,y)为第一曲线的高度,z₂(x,y)为第二曲线的高度，λ为变动误差量，θ为氧化膜覆盖在金属表面的厚度；

S43，若高度差小于等于2θ，则认为接触斑点与氧化腐蚀物产生膜层电阻，如果不是则判断高度差是否大于0，如果大于0，则认为接触斑点的部分为收缩电阻，否则此处无接触电阻。

7.根据权利要求6所述的考虑离散应力的电连接器接触性能退化过程的模拟方法：步骤S6具体包括：基于公式(3)得到接触电阻值，

其中,R_j为接触电阻，a_sp为对应第P个接触斑点的半径；a_bk为对应第k个氧化膜斑点的半径，n为接触斑点的数量，m为氧化膜斑点的数量。