[发明专利]硅片及制备方法、电池片、电池切片、电池串及光伏组件在审

专利信息
申请号: 202110860560.4 申请日: 2021-07-28
公开(公告)号: CN113921639A 公开(公告)日: 2022-01-11
发明(设计)人: 陈道远;王樱;周艳方 申请(专利权)人: 上海晶澳太阳能科技有限公司;晶澳(扬州)太阳能科技有限公司
主分类号: H01L31/05 分类号: H01L31/05;H01L31/06;H01L31/0224;H01L31/18;H01L21/02;B28D5/04
代理公司: 北京市万慧达律师事务所 11111 代理人: 张一帆
地址: 201401 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 硅片 制备 方法 电池 切片 组件
【权利要求书】:

1.一种单晶硅片,其中,所述单晶硅片包括硅片主体和由所述硅片主体的边缘向外延伸的延展边,所述硅片主体为直角正方形切片或圆角正方形切片,所述延展边呈平行于所述硅片主体的边缘的带状结构,所述延展边用于在焊接时搭接于相邻的所述单晶硅片的下方。

2.根据权利要求1所述的单晶硅片,其中,所述硅片主体与所述延展边由经过开方后的单晶硅棒一体切割成型,所述直角正方形切片内接于所述单晶硅棒,所述圆角正方形切片的中心在所述单晶硅棒的轴线上,且所述圆角正方形切片的圆角对应于所述单晶硅棒的弧形面,所述延展边对应于所述单晶硅棒上用于切割所述硅片主体以外的余料区。

3.根据权利要求1所述的单晶硅片,其中,所述硅片主体的边长为H,H≥156mm。

4.根据权利要求3所述的单晶硅片,其中,156mm≤H≤210mm。

5.根据权利要求3或4所述的单晶硅片,其中,所述延展边的宽度为L,0L≤6mm。

6.根据权利要求5所述的单晶硅片,其中,0L≤4mm。

7.根据权利要求6所述的单晶硅片,其中,0.5≤L≤2.3mm。

8.根据权利要求1所述的单晶硅片,其中,所述延展边的数目为一个。

9.根据权利要求1所述的单晶硅片,其中,所述延展边的数目为两个,两个所述延展边分别设于所述硅片主体的相对的两个边缘。

10.根据权利要求1所述的单晶硅片,其中,所述硅片主体的厚度和所述延展边的厚度相等。

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