[发明专利]硅片及制备方法、电池片、电池切片、电池串及光伏组件在审
申请号: | 202110860560.4 | 申请日: | 2021-07-28 |
公开(公告)号: | CN113921639A | 公开(公告)日: | 2022-01-11 |
发明(设计)人: | 陈道远;王樱;周艳方 | 申请(专利权)人: | 上海晶澳太阳能科技有限公司;晶澳(扬州)太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05;H01L31/06;H01L31/0224;H01L31/18;H01L21/02;B28D5/04 |
代理公司: | 北京市万慧达律师事务所 11111 | 代理人: | 张一帆 |
地址: | 201401 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 硅片 制备 方法 电池 切片 组件 | ||
1.一种单晶硅片,其中,所述单晶硅片包括硅片主体和由所述硅片主体的边缘向外延伸的延展边,所述硅片主体为直角正方形切片或圆角正方形切片,所述延展边呈平行于所述硅片主体的边缘的带状结构,所述延展边用于在焊接时搭接于相邻的所述单晶硅片的下方。
2.根据权利要求1所述的单晶硅片,其中,所述硅片主体与所述延展边由经过开方后的单晶硅棒一体切割成型,所述直角正方形切片内接于所述单晶硅棒,所述圆角正方形切片的中心在所述单晶硅棒的轴线上,且所述圆角正方形切片的圆角对应于所述单晶硅棒的弧形面,所述延展边对应于所述单晶硅棒上用于切割所述硅片主体以外的余料区。
3.根据权利要求1所述的单晶硅片,其中,所述硅片主体的边长为H,H≥156mm。
4.根据权利要求3所述的单晶硅片,其中,156mm≤H≤210mm。
5.根据权利要求3或4所述的单晶硅片,其中,所述延展边的宽度为L,0L≤6mm。
6.根据权利要求5所述的单晶硅片,其中,0L≤4mm。
7.根据权利要求6所述的单晶硅片,其中,0.5≤L≤2.3mm。
8.根据权利要求1所述的单晶硅片,其中,所述延展边的数目为一个。
9.根据权利要求1所述的单晶硅片,其中,所述延展边的数目为两个,两个所述延展边分别设于所述硅片主体的相对的两个边缘。
10.根据权利要求1所述的单晶硅片,其中,所述硅片主体的厚度和所述延展边的厚度相等。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海晶澳太阳能科技有限公司;晶澳(扬州)太阳能科技有限公司,未经上海晶澳太阳能科技有限公司;晶澳(扬州)太阳能科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110860560.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种便携式空气质量检测仪
- 下一篇:一种两点进水的强化脱氮除磷污水处理系统
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的