[发明专利]一种柔性基材双面镀膜方法及双面镀膜设备

权利要求书

1.一种柔性基材双面镀膜方法，其特征在于，所述柔性基材具有沿其厚度方向相对设置的第一表面和第二表面，所述柔性基材双面镀膜方法包括：

S1、在所述第一表面形成第一膜层；

S2、在所述第二表面形成第二膜层；

S3、依次交替重复步骤S1以及S2，直至由多层所述第一膜层构成的第一薄膜的总厚度、以及由多层所述第二膜层构成的第二薄膜的总厚度均达到目标厚度为止；

其中，所述第一膜层的厚度大于0且不大于50nm，所述第二膜层的厚度大于0且不大于50nm。

2.根据权利要求1所述的柔性基材双面镀膜方法，其特征在于，所述第一膜层的厚度为10-50nm，所述第二膜层的厚度为10-50nm。

3.根据权利要求1所述的柔性基材双面镀膜方法，其特征在于，在所述第一表面形成的第一层所述第一膜层的应力曲翘方向与所述柔性基材的自重弯曲方向相反。

4.根据权利要求1所述的柔性基材双面镀膜方法，其特征在于，所述第一薄膜的材质包括金属及其化合物中的任一种，所述第二薄膜的材质包括金属及其化合物中的任一种。

5.根据权利要求4所述的柔性基材双面镀膜方法，其特征在于，所述第一薄膜的材质与所述第二薄膜的材质相同。

6.根据权利要求4所述的柔性基材双面镀膜方法，其特征在于，所述第一膜层为由磁控溅射方式形成的透明导电氧化物薄膜，和/或，所述第二膜层为由磁控溅射方式形成的透明导电氧化物薄膜。

7.根据权利要求1所述的柔性基材双面镀膜方法，其特征在于，所述柔性基材由依次连接的N型掺杂非晶硅薄膜、第一本征非晶薄膜、单晶硅片、第二本征非晶薄膜以及P型掺杂非晶硅薄膜组成，所述单晶硅片的厚度大于1μm且小于200μm。

8.根据权利要求1-7任意一项所述的柔性基材双面镀膜方法，其特征在于，在进行步骤S1至S3的过程中，所述柔性基材水平布置。

9.一种用于实施权利要求1-8任意一项所述的柔性基材双面镀膜方法的双面镀膜设备，其特征在于，所述镀膜设备具有镀膜室，所述镀膜室内具有第一加工部以及第二加工部，所述第一加工部以及第二加工部间隔布置形成用于容置所述柔性基材的间隙，所述柔性基材能够沿所述间隙的延伸方向移动；

所述第一加工部具有沿所述间隙的延伸方向间隔布置的多个第一加工区，每个第一加工区用于在所述第一表面形成第一膜层，所述第二加工部具有沿所述间隙的延伸方向间隔布置的多个第二加工区，每个第二加工区用于在所述第二表面形成第二膜层，所述第一加工区与所述第二加工区的正投影沿所述间隙的延伸方向依次交错布置。

10.根据权利要求9所述的双面镀膜设备，其特征在于，所述双面镀膜设备包括用于固定所述柔性基材的载具，其中，所述载具具有镂空区以及用于支撑所述柔性基材的支撑区，所述镂空区的面积大于所述柔性基材的面积的95％，所述支撑区的面积小于所述柔性基材的面积的3％。