[发明专利]一种带有直通选择结构的GaAs自偏置低噪声放大器

权利要求书

1.一种带有直通选择结构的GaAs自偏置低噪声放大器，其特征在于，包括：带有开关切换功能的两级低噪声放大器、带有开关切换功能的直通通路、V_control与V_DD；带有开关切换功能的两级低噪声放大器与带有开关切换功能的直通通路各自的输入端分别与整体电路的输入端相连，带有开关切换功能的两级低噪声放大器与带有开关切换功能的直通通路各自的输出端分别与整体电路的输出端相连，V_control与V_DD用于给带有开关切换功能的两级低噪声放大器与带有开关切换功能的直通通路供电；

当V_control=0V时，带有开关切换功能的两级低噪声放大器截止，带有开关切换功能的直通通路启动，当V_control=V_DD时，带有开关切换功能的两级低噪声放大器启动，带有开关切换功能的直通通路截止；

带有开关切换功能的两级低噪声放大器具体包括第一级放大器与第二级放大器；

所述第一级放大器、第二级放大器结构相同，均包括：RC反馈网络、放大单元、电流镜电路、旁路滤波单元、电源控制单元；

所述第一级放大器的放大单元为晶体管M₁，第一级放大器的RC反馈网络包括串联的电阻R₁与电容C₅，第一级放大器的RC反馈网络的两端分别与晶体管M₁的漏极和栅极相连；第一级放大器的电流镜电路用于为晶体管M₁提供直流偏置电压，电流镜电路一端与晶体管M₁栅极相连，另一端串联第一级放大器的旁路滤波单元后与第一级放大器的电源控制单元相连，所述第一级放大器的电源控制单元包括：晶体管M₇、电感L₃，晶体管M₇的源极通过电感L₃接晶体管M₁的漏极，晶体管M₇的漏极接电源V_DD，晶体管M₇的栅极连接至V_control；

所述第二级放大器的放大单元为晶体管M₂，第二级放大器的RC反馈网络包括串联的电阻R₂与电容C₇，第二级放大器的RC反馈网络的两端分别与晶体管M₂的漏极和栅极相连；第二级放大器的电流镜电路用于为晶体管M₂提供直流偏置电压，电流镜电路一端与晶体管M₂栅极相连，另一端串联第二级放大器的旁路滤波单元后与第二级放大器的电源控制单元相连，所述第二级放大器的电源控制单元包括：晶体管M₉、电感L₈，晶体管M₉的源极通过电感L₈接晶体管M₂的漏极，晶体管M₉的漏极接电源V_DD，晶体管M₉的栅极连接至V_control。

2.根据权利要求1所述的一种带有直通选择结构的GaAs自偏置低噪声放大器，其特征在于，所述带有开关切换功能的两级低噪声放大器包括依次串联的：输入开关网络、输入匹配网络、第一级放大器、级间匹配网络、第二级放大器、输出匹配网络以及输出开关网络；输入开关网络与整体电路的输入端口相连，输出开关网络与整体电路的输出端口相连。