[发明专利]用于检测荷电粒子或光的检测器在审

专利信息
申请号: 202110861930.6 申请日: 2021-07-29
公开(公告)号: CN114520141A 公开(公告)日: 2022-05-20
发明(设计)人: 高塚清香;小林浩之 申请(专利权)人: 浜松光子学株式会社
主分类号: H01J49/02 分类号: H01J49/02;G01N27/62
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 杨琦;梁策
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 检测 粒子 检测器
【权利要求书】:

1.一种检测器,用于检测荷电粒子或光,所述检测器具备:

雪崩二极管,其具有:第一电极,电连接于具有与接地电位不同的第一基准电位的电源端子;第二电极,电连接于信号输出端子;电子入射面,入射有由于所述荷电粒子而生成的电子、由于所述光而生成的光电子、或者通过所述光电子的倍增而生成的电子;以及

驱动电路,其驱动所述雪崩二极管,

所述驱动电路包含:

第一电容器,其配置于所述电源端子与所述雪崩二极管的所述第一电极之间的配线上,并且具有电连接于所述电源端子的第一端子、与电连接于所述雪崩二极管的所述第一电极的第二端子;以及

第一电阻,其具有电连接于所述电源端子的第一端子、与电连接于所述雪崩二极管的所述第一电极的第二端子,

所述第一电容器的所述第一端子及所述第一电阻的所述第一端子具有相同的电位,所述第一电容器的所述第二端子及所述第一电阻的所述第二端子具有相同的电位。

2.根据权利要求1所述的检测器,其中,

所述第一电容器的静电容量为所述雪崩二极管的静电容量的10倍以下。

3.根据权利要求2所述的检测器,其中,

所述第一电容器的静电容量为所述雪崩二极管的静电容量以下。

4.根据权利要求1所述的检测器,其中,

所述第一电阻的电阻值为30kΩ以上500kΩ以下。

5.根据权利要求1所述的检测器,其中,

所述信号输出端子电连接于所述雪崩二极管的所述第二电极与具有与所述第一基准电位不同的第二基准电位的节点之间的配线,

所述驱动电路还具有:第二电容器,其具有电连接于所述第一电容器的所述第一端子及所述第一电阻的所述第一端子的双方的第一端子和具有与所述节点相同的电位的第二端子。

6.根据权利要求1所述的检测器,其中,

所述驱动电路还具有配置于所述信号输出端子与所述雪崩二极管的所述第二电极之间的配线上的、作为AC耦合器的第三电容器,所述第三电容器具有电连接于所述雪崩二极管的所述第二电极的第一端子和电连接于所述信号输出端子的第二端子。

7.一种检测器,用于检测荷电粒子或光,所述检测器具备:

雪崩二极管,其具有:第一电极,电连接于具有与接地电位不同的第一基准电位的电源端子;第二电极,电连接于信号输出端子;电子入射面,入射有由于所述荷电粒子而生成的电子、由于所述光而生成的光电子、或者通过所述光电子的倍增而生成的电子;以及

驱动电路,其驱动所述雪崩二极管,

所述驱动电路包含:

第一电容器,其配置于位于所述雪崩二极管的所述第二电极与具有与所述第一基准电位不同的第二基准电位的节点之间、且电连接于所述信号输出端子的配线上,具有电连接于所述雪崩二极管的所述第二电极的第一端子和电连接于所述信号输出端子的第二端子;以及

第一电阻,其具有电连接于所述雪崩二极管的所述第二电极的第一端子和第二端子,

所述第一电阻的所述第一端子与所述第一电容器的所述第一端子具有相同的电位,

所述第一电阻的所述第二端子以具有与所述第一电容器的所述第二端子相同的电位的方式,电连接于所述第一电容器的所述第二端子,或者所述第一电阻的所述第二端子具有与所述节点相同的电位。

8.根据权利要求7所述的检测器,其中,

所述第一电容器的静电容量为所述雪崩二极管的静电容量的10倍以下。

9.根据权利要求8所述的检测器,其中,

所述第一电容器的静电容量为所述雪崩二极管的静电容量以下。

10.根据权利要求7所述的检测器,其中,

所述第一电阻的电阻值为30kΩ以上500kΩ以下。

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