[发明专利]温度系数可调节的放大器电路及电压产生方法有效
申请号: | 202110862015.9 | 申请日: | 2021-07-29 |
公开(公告)号: | CN113655840B | 公开(公告)日: | 2023-08-29 |
发明(设计)人: | 韩思扬;卢子焱;周平;韩旺旺;张文锋;王海龙 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第二十九研究所 |
主分类号: | G05F1/567 | 分类号: | G05F1/567 |
代理公司: | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人: | 贾年龙 |
地址: | 610036 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 温度 系数 调节 放大器 电路 电压 产生 方法 | ||
本发明涉及微波射频集成电路领域,公开了一种温度系数可调节的放大器电路及电压的产生方法,该电路包括:温度系数可调节电压产生电路、射频负反馈网络、放大器、输入匹配网络和输出匹配网络;温度系数可调节电压产生电路包括基准电压产生电路、温度系数可调节电压产生电路和运算放大电路,基准电压产生电路和温度系数可调节电压产生电路分别连接运算放大电路上,运算放大电路连接在射频反馈网络上,射频反馈网络分别连接在放大器的输入端和输出端。采用本方案设计的放大器芯片能够方便地在芯片制造实测后对温度系数进行适应性调整,从而将放大器芯片的温度波动最小化。
技术领域
本发明涉及微波射频集成电路领域,尤其涉及一种温度系数可调节的放大器电路及电压产生方法。
背景技术
对于砷化镓微波单片放大器,由于PHEMT的跨导和电流随温度升高而降低,从而导致放大器的放大倍数随温度升高而逐渐下降。对于单级微波单片放大器,如果不对PHEMT温度特性进行补偿,从-55℃到125℃的温度波动通常在±1dB左右。对于增益更高的两级或多级放大器,或者多个单片级联使用组成放大链路,其增益随温度的波动会更大,从而影响系统的性能。
目前采用较为广泛的措施是在放大器前面或后面增加温度补偿芯片,从而减小链路的温度波动。但是该方法有两个不足,第一是如果放大器工作频率特别高,到达毫米波频段,很难找到对应频率的温度补偿芯片;第二是温度补偿芯片的温度特性很难跟放大器的温度特性一致,从而造成补偿后的温度特性仍不理想的情况。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是:为了避免额外使用温度补偿芯片进行温度补偿,同时在频率特别高的时候仍能够对放大器进行温度补偿,本发明提出一种温度系数可调节的放大器电路及电压产生方法,采用本方案设计的放大器能够方便地在放大器制造实测后对温度系数进行适应性调整,从而将放大器的温度波动最小化。
本发明采用的技术方案如下:
一方面,本发明提供一种温度系数可调节的放大器电路,包括:温度系数可调节电压产生电路、射频负反馈网络和放大器;所述射频负反馈网络连接在放大器的输入端和输出端;
所述温度系数可调节电压产生电路包括基准电压产生电路、正温系数可调节电压产生电路和运算放大电路,所述基准电压产生电路的输入端和正温系数可调节电压产生电路的输入端连接在一起后再连接在电源上,所述基准电压产生电路的输出端连接在所述运算放大电路的第一输入端,所述温度系数可调电压产生电路的输出端连接在所述运算放大电路的第二输入端,所述运算放大电路的输出端连接在所述射频负反馈网络上。
进一步的,所述基准电压产生电路包括电阻R7、电阻R8、电阻R9和电阻R10;所述电阻R7、电阻R8和电阻R9并联构成分压网络,所述电阻R10一端连接在电源上,另一端连接在所述电阻R7、电阻R8和电阻R9构成的分压网络上,所述电阻R7、电阻R8和电阻R9在分别串联一个开关后接地,所述电阻R7、电阻R8和电阻R9构成的分压网络连接在所述运算放大电路的第一输入端上。5V电源电压通过基准电压产生电路可产生一个电平大小可调节且不随温度变化的基准电压V1,并将该基准电压V1输入至运算放大电路的第一输入端。
进一步的,所述正温系数可调节电压产生电路包括电阻R1和电阻R2,所述电阻R1一端连接在电源上,另一端连接在所述电阻R2和所述运算放大电路的第二输入端上,所述电阻R2接地。5V电源电压通过正温系数可调节电压产生电路可产生一个正温系数可调的电压V2,并将该正温系数可调的电压V2输入到运算放大电路的第二输入端。
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