[发明专利]时序参数调整机制有效

专利信息
申请号: 202110862143.3 申请日: 2021-07-29
公开(公告)号: CN114063900B 公开(公告)日: 2023-02-24
发明(设计)人: M·斯福尔津;D·巴卢智 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 时序 参数 调整 机制
【说明书】:

本申请是针对时序参数调整机制。存储器系统可接收存取数据块的存取命令。基于接收到所述存取命令,所述存储器系统可确定与存取所述数据块相关联的参数(例如,时序参数)。所述时序参数可指示存取所述数据块的第一页的第一时间与存取所述数据块的第二页的第二时间之间的持续时间。所述存储器系统可基于确定所述时序参数而对所述数据块执行存取操作。

交叉引用

专利申请主张斯福尔津(Sforzin)等人2020年7月29日申请的名称为“时序参数调整机制(TIMING PARAMETER ADJUSTMENT MECHANISMS)”的美国专利申请第16/942,568号的优先权,所述申请转让给本受让人,且明确地以全文引用的方式并入本文中。

技术领域

技术领域是关于时序参数调整机制。

背景技术

存储器装置广泛用于将信息存储在如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器以及类似物的各种电子装置中。通过将存储器装置内的存储器单元编程到不同状态来存储信息。举例来说,二进制存储器单元可编程到两个支持状态中的一个,常常由逻辑1或逻辑0来标示。在一些实例中,单个存储器单元可支持超过两个状态,可存储所述状态中的任一个。为了存取所存储信息,组件可读取或感测存储器装置中的至少一个所存储状态。为存储信息,组件可写入或编程存储器装置中的状态。

存在各种类型的存储器装置和存储器单元,包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)、自选存储器、硫族化物存储器技术等。存储器单元可以是易失性或非易失性的。

发明内容

描述一种设备。设备可包含存储器阵列和控制器,所述控制器与存储器阵列耦合且配置成使得设备:接收存取数据块的存取命令;至少部分地基于接收到存取命令而确定与存取数据块相关联的参数;至少部分地基于确定参数而确定时序参数,所述时序参数指示存取数据块的第一页的第一时间与存取数据块的第二页的第二时间之间的持续时间;至少部分地基于确定时序参数而对数据块执行存取操作。

描述一种设备。设备可包含存储器阵列和控制器,所述控制器与存储器阵列耦合且配置成使得设备:接收存取数据块的存取命令,所述数据块包括多个页;至少部分地基于接收到存取命令而确定多个页的每一页的数据模式;至少部分地基于确定多个页的每一页的数据模式而确定多个页的每一页的时序参数,所述时序参数指示存取多个页的当前页的第一时间与存取多个页的先前页的第二时间之间的持续时间;且作为存取数据块的存取操作的部分在时序参数的持续时间到期之后存取多个页的当前页。

描述一种存储包括指令的代码的非暂时性计算机可读媒体。指令在由电子装置的处理器执行时可使得电子装置:接收存取数据块的存取命令;至少部分地基于接收到存取命令而确定与存取数据块相关联的参数;至少部分地基于确定参数而确定时序参数,所述时序参数指示存取数据块的第一页的第一时间与存取数据块的第二页的第二时间之间的持续时间;且至少部分地基于确定时序参数而对数据块执行存取操作。

附图说明

图1说明根据如本文中所公开的实例的支持时序参数调整机制的系统的实例。

图2说明根据如本文中所公开的实例的支持时序参数调整机制的存取操作的实例。

图3说明根据如本文中所公开的实例的支持时序参数调整机制的存取操作的实例。

图4A说明根据如本文中所公开的实例的支持时序参数调整机制的过程流程的实例。

图4B说明根据如本文中所公开的实例的支持时序参数调整机制的过程流程的实例。

图5展示根据如本文中所公开的实例的支持时序参数调整机制的存储器系统的框图。

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