[发明专利]用于防止块提升的NAND闪存块架构增强

说明书

本申请涉及NAND闪存块架构增强以防止块提升。公开一种三维存储器装置。在一个实施例中，公开一种装置，所述装置包括：源极板；插塞，其在所述源极板上制造或部分地形成于所述源极板中；堆叠，其形成于衬底及插塞上，所述堆叠包括交替的绝缘层及导电层，及延伸穿过所述绝缘层及导电层的存储器单元的沟道材料串；由一种工艺形成的第一组支柱，其延伸穿过所述堆叠，所述工艺包含蚀刻所述交替的绝缘层及导电层，及将支柱材料沉积在其中，其中所述第一组支柱中的每个支柱在多个插塞中的相应插塞顶上终止；及由一种工艺形成的第二组支柱，其延伸穿过所述堆叠，所述工艺包含蚀刻所述交替的绝缘层及导电层，及将支柱材料沉积在其中，其中所述第二组支柱中的每个支柱在所述源极板中终止。

技术领域

所公开的实施例涉及NAND闪存存储装置。具体来说，所公开的实施例中的至少一些涉及3D NAND闪存改进。

背景技术

各种类型的非易失性存储装置可用于存储数据。非易失性存储装置可包含NAND闪存存储器装置。NAND闪存是使用NAND逻辑门来构造的一种类型的闪存存储器。替代地，NOR闪存是使用NOR逻辑门来构造的一种类型的闪存存储器。目前，NAND闪存的使用占闪存市场的主导。

在典型的闪存存储器中，NAND或NOR晶体管用于存储信息且布置在可经由位线及字线访问的栅极的阵列或网格中，所述位线及字线的交点称为单元。最简单的闪存存储器每单元存储一个信息位且称为单层级单元(SLC)闪存存储器。在多层级单元(MLC)闪存中，单元存储多于一个信息位。具体来说，MLC闪存传统上已每单元存储两个信息位。因此，三层级单元(TLC)闪存每单元存储三个信息位，并且四层级单元(QLC)闪存每单元存储四个信息位。

闪存存储器装置(例如，NAND、NOR等)已发展成用于各种电子应用的受欢迎的非易失性存储器来源。非易失性存储器是可在不施加电力的情况下长时间保持其数据值的存储器。闪存存储器装置通常使用允许高存储器密度、高可靠性及低功耗的单晶体管存储器单元。通过对电荷存储结构(例如，浮动栅极或电荷阱)的编程(有时称为编写)或其它物理现象(例如，相变或极化)引起的单元阈值电压变化确定每一单元的数据值。闪存存储器及其它非易失性存储器的常见用途包含个人计算机、个人数字助理(PDA)、数码相机、数字媒体播放器、数字记录器、游戏、电器设备、车辆、无线装置、移动电话及可拆卸式存储器模块，且非易失性存储器的用途在持续扩大。

用于NAND闪存存储器装置的存储器单元阵列通常布置成使得一行阵列中的每个存储器单元的控制栅极连接在一起以形成存取线，例如字线。阵列中的列包含在一对选择晶体管之间(例如在源极选择晶体管与漏极选择晶体管之间)以源极到漏极方式串联连接在一起的存储器单元串(常常被称为NAND串)。每个源极选择晶体管连接到源极线，而每个漏极选择晶体管连接到数据线，例如列位线。列是共同地耦合到本地数据线，例如本地位线的存储器单元群组。所述列不需要任何特定定向或线性关系，而是指存储器单元与数据线之间的逻辑关系。

为了满足对更高容量的存储器的要求，设计者一直力求增加存储器密度(例如，集成电路裸片的给定区域中的存储器单元的数目)。增加存储器装置的密度的一种方式是形成堆叠式存储器阵列(例如，常常称为三维存储器阵列)。

举例来说，在堆叠式存储器阵列中的共同位置处(例如，在共同垂直层处)的存储器单元可形成存储器单元的层面。每一层面中的存储器单元可耦合到一或多个存取线，例如本地存取线(例如，本地字线)，所述存取线又通过晶体管(例如，传递晶体管)选择性地耦合到驱动器。在一些实例中，每一层面中的存储器单元可共同地耦合到共同存取线或板。