[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底，具有中心区和围绕所述中心区的外围区；

集成电路结构，在所述衬底的所述中心区上；以及

至少一个第一结构，在所述衬底的所述外围区上并围绕所述衬底的所述中心区，

其中：

所述至少一个第一结构的一部分包括：

第一鳍结构，由所述衬底中的器件隔离区限定并从所述衬底突出；

第一电介质层，覆盖所述第一鳍结构的上表面和侧表面以及所述器件隔离区的上表面；

第一栅极结构，在所述第一鳍结构上，所述第一栅极结构包括第一栅极导电层、覆盖所述第一栅极导电层的下表面和侧表面的第一栅极电介质层以及在所述第一栅极导电层的两个侧壁上的第一栅极间隔物层；以及

第一绝缘结构，覆盖所述第一电介质层和所述第一栅极结构，

所述第一鳍结构包括具有线形形状并在第一方向上延伸的第一鳍线部分，

所述第一栅极结构的所述第一栅极导电层包括具有线形形状并在所述第一方向上延伸的第一栅极线部分，

所述第一鳍线部分在垂直于所述第一方向的第二方向上具有第一宽度，以及

所述第一栅极线部分在所述第二方向上具有第二宽度，所述第二宽度比所述第一宽度窄。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述第一鳍结构包括第一下半导体区以及交替地堆叠在所述第一下半导体区上的第一、第二和第三硅层以及第一、第二和第三硅锗层，

所述第一硅层在所述第一硅锗层和所述第二硅锗层之间，

所述第二硅层在所述第二硅锗层和所述第三硅锗层之间，以及

所述第三硅层在所述第三硅锗层的上表面上。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一鳍线部分的所述第一宽度是所述第三硅层在所述第二方向上的最小宽度。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述第一鳍结构是比所述器件隔离区的所述上表面在垂直方向上更突出的单个鳍，以及

所述第一鳍线部分的所述第一宽度是所述第一鳍结构在沿所述第二方向截取的截面上的最小宽度。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一电介质层具有比所述第一栅极电介质层的厚度大的厚度。

6.如权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：

第一布线层，在所述第一栅极结构上在所述第一绝缘结构中；以及

第一接触结构，在所述第一栅极导电层和所述第一布线层之间，

其中所述第一接触结构在所述第二方向上的宽度比所述第一鳍线部分的所述第一宽度窄。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述集成电路结构包括：

电路鳍图案，由所述衬底的所述器件隔离区限定并在所述第一方向上延伸，所述电路鳍图案包括在垂直方向上彼此间隔开的多个沟道层；

电路栅电极，与所述电路鳍图案交叉并在所述第二方向上延伸；以及

源极/漏极区，在所述电路栅电极的两侧上在所述电路鳍图案上，以及

所述第一鳍线部分的所述第一宽度大于所述电路鳍图案的所述多个沟道层中的每个在所述第二方向上的宽度。

8.如权利要求1所述的半导体器件，进一步包括在所述衬底的所述外围区上的至少一个第二结构，

其中所述至少一个第二结构包括：

第二鳍结构，由所述衬底中的所述器件隔离区限定，从所述衬底突出，并在所述第一方向上延伸；

第二电介质层，覆盖所述第二鳍结构和所述器件隔离区；

第二绝缘结构，覆盖所述第二电介质层；

下接触结构，在所述第二鳍结构上在所述第二绝缘结构中，连接到所述第二鳍结构，并具有比所述第二鳍结构的宽度大的宽度；

上接触结构，在所述下接触结构上连接到所述下接触结构；以及

第二布线层，在所述上接触结构上连接到所述上接触结构。