[发明专利]一种镍钴锰三元前驱体材料的制备方法

权利要求书

1.一种镍钴锰三元前驱体材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)在惰性气氛下，将镍钴锰三元金属盐溶液与沉淀剂溶液、氨水和底液进行混合，反应，得到含有三元金属晶粒的溶液；

(2)在惰性气氛下，将镍钴锰三元金属盐溶液、氨水、沉淀剂溶液和步骤(1)得到的所述含有三元金属晶粒的溶液进行混合，使晶粒生长，在所述生长的过程中通过至少两次调节溶液的pH、铵根离子浓度和温度，并通过控制固含量将生长时间范围控制在6～60h，待所述晶粒生长到所需粒径范围后，陈化，固液分离，得到所述镍钴锰三元前驱体材料；

其中，在步骤(2)中，所述温度的调节方法具体包括：当晶粒粒度每增长1μm时，温度升高1～20℃；

所述pH的调节方法具体包括：当晶粒粒度每增长1μm时，pH降低0.01～2；

所述铵根离子浓度的调节方法具体包括：当晶粒粒度每增长1μm时，铵根离子的质量浓度降低0.01～2g/L。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤(2)中，所述温度的调节方法具体包括：当晶粒粒度每增长1μm时，温度升高2～15℃。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤(2)中，所述pH的调节方法具体包括：当晶粒粒度每增长1μm时，pH降低0.02～1。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤(2)中，所述铵根离子浓度的调节方法具体包括：当晶粒粒度每增长1μm时，铵根离子的质量浓度降低0.02～1g/L。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述底液中包括铵根离子和氢氧根离子。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述底液中铵根离子的质量浓度为0.5～20g/L，所述底液的pH为7.5～14。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤(1)和(2)中，溶液体系的温度为30～90℃。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤(1)和(2)中，溶液体系的温度为35～75℃。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤(1)和(2)中，溶液体系的pH为7.5～14。

10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤(1)和(2)中，溶液体系的pH为8～13.5。

11.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤(1)和(2)中，溶液体系中铵根离子的质量浓度为0.01～20g/L。

12.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤(1)和(2)中，溶液体系中铵根离子的质量浓度为1～15g/L。

13.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤(1)和(2)中，所述镍钴锰三元金属盐溶液中金属离子的总摩尔浓度为0.1～3mol/L。

14.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤(1)和(2)中，所述镍钴锰三元金属盐溶液中金属离子的总摩尔浓度为1～2.5mol/L。

15.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤(1)和(2)中，所述氨水中铵根离子的摩尔浓度为0.01～13mol/L。

16.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤(1)和(2)中，所述氨水中铵根离子的摩尔浓度为0.1～10mol/L。