[发明专利]光刻材料的返工方法及衬底的光刻方法

权利要求书

1.一种光刻材料的返工方法，其特征在于，用于对待返工衬底上形成的至少一层光刻材料进行返工，其中，

所述返工衬底上形成有包括第一材料层、第二材料层和第三材料层的三层光刻材料时，采用第一返工工序进行返工，所述第一返工工序包括：依次执行第一刻蚀工艺、第二刻蚀工艺和第三刻蚀工艺，所述第一刻蚀工艺用于刻蚀去除所述第三材料层并刻蚀停止于所述第二材料层，所述第二刻蚀工艺用于刻蚀去除所述第二材料层，以及所述第三刻蚀工艺用于刻蚀去除所述第一材料层；

所述返工衬底上形成有所述三层光刻材料中的第一材料层和第二材料层时，采用所述第一返工工序进行返工；

所述返工衬底上形成有所述三层光刻材料中的第一材料层时，则在所述第一材料层的厚度大于等于预设厚度时，采用所述第一返工工序或第二返工工序；在所述第一材料层的厚度小于所述预设厚度时，采用所述第二返工工序，所述第二返工工序包括：利用所述第三刻蚀工艺刻蚀去除所述第一材料层。

2.如权利要求1所述的光刻材料返工方法，其特征在于：所述第一返工工序中，所述第二刻蚀工艺去除所述第二材料层，并部分消耗所述第一材料层。

3.如权利要求1所述的光刻材料返工方法，其特征在于：所述第一材料层为碳涂层。

4.如权利要求3所述的光刻材料返工方法，其特征在于：所述第三刻蚀工艺为干法刻蚀，所述干法刻蚀的刻蚀气体包括氧气。

5.如权利要求1所述的光刻材料返工方法，其特征在于：所述第二材料层为硅基抗反射层。

6.如权利要求5所述的光刻材料返工方法，其特征在于：所述第二刻蚀工艺为干法刻蚀，所述干法刻蚀的刻蚀气体包括四氟化碳。

7.如权利要求1所述的光刻材料返工方法，其特征在于：所述第三材料层为光刻胶层。

8.如权利要求7所述的光刻材料返工方法，其特征在于：所述第一刻蚀工艺为湿法刻蚀，所述湿法刻蚀的刻蚀液包括光刻胶稀释剂。

9.一种衬底的光刻方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成第一材料层，若所述第一材料层异常且厚度大于等于预设厚度，则进行第一返工工序或第二返工工序；若所述第一材料层异常且厚度小于所述预设厚度，则进行所述第二返工工序；若所述第一材料层无异常，则进行下一步骤；

在所述第一材料层上形成第二材料层和第三材料层，若所述第二材料层和所述第三材料层中的至少一层存在异常，则进行所述第一返工程序；若所述第二材料层和所述第三材料层均无异常，则进行下一步骤；以及，

执行曝光工艺；

其中，所述第一返工工序包括：依次执行第一刻蚀工艺、第二刻蚀工艺和第三刻蚀工艺；所述第二返工工序包括：执行所述第三刻蚀工艺。

10.如权利要求9所述的衬底的光刻方法，其特征在于：形成所述第二材料层和所述第三材料层的方法包括：

在形成所述第二材料层后，若所述第二材料层存在异常，则进行所述第一返工程序；若所述第二材料层无异常，则形成所述第三材料层；

在形成所述第三材料层后，若所述第三材料层存在异常，则进行所述第一返工程序；若所述第三材料层无异常，则进行下一步骤。

11.如权利要求9所述的衬底的光刻方法，其特征在于：所述第一材料层为碳涂层，所述第二材料层为硅基抗反射层，所述第三材料层为光刻胶层。

12.如权利要求9所述的衬底的光刻方法，其特征在于：所述第三刻蚀工艺为干法刻蚀，所述干法刻蚀的刻蚀气体包括氧气；所述第二刻蚀工艺为干法刻蚀，所述干法刻蚀的刻蚀气体包括四氟化碳；所述第一刻蚀工艺为湿法刻蚀，所述湿法刻蚀的刻蚀液包括采用有机溶液。