[发明专利]氧化钛掺杂旋涂玻璃固化装置

说明书

本发明公开一种氧化钛掺杂旋涂玻璃固化装置，包括反应炉，反应炉为反向石英双炉管设计，反应炉的上端开设有石英分隔板，石英分隔板将反应炉的内外双石英管分为内通道和外通道，内通道上设置有第一进气口和第二进气口，外通道上设置有出气口，反应炉的顶端设置有进料口，进料口上方设置有多层石墨基座，多层石墨基座通过升降机构进入进料口进行反应，反应炉的外管壁上由上而下分别设置有第一线圈和第二线圈，第一线圈和第二线圈用于为反应炉加热，本发明利用反向的反应炉管以及多层石墨基座，并用线圈式的感应加热方式，可以大大节省径向空间，精确控制石墨基座的温度，指导晶体生长方向，大大提高反应温度控制精度，提高产品整体质量。

技术领域

本发明涉及EUV光学材料玻璃制备技术领域，尤其涉及一种氧化钛掺杂旋涂玻璃固化装置。

背景技术

迄今为止，在光刻中，通常使用曝光装置将精细电路图案转移到晶片上以产生集成电路。与集成电路的高集成度和高功能性一起，集成电路的微型化已经成为发展需要，并且需要曝光装置以在深焦深中以高分辨率在晶片上形成电路图案的图像，在这些情况下，使用EUV光(极紫外光)中波长为13nm的光作为曝光光源的光刻技术为最优的选择，因为它可以应用于特征尺寸为50nm或更小的印刷。EUV光刻(以下称作“EUVL”)的成像原理与常规光刻相同，其程度使得掩模图案通过光学投影系统被转移。然而，在EUV光的能量区域中，没有材料允许光通过。因此，不能使用折射光学系统，并且在所有情况下都要求光学系统是反射光学系统。

TiO2-SiO2已知玻璃是具有比石英玻璃小的热膨胀系数(CTE)的非常低的热膨胀系数材料，因此，TiO2-SiO2玻璃有望作为EUVL用曝光装置的光学材料使用，然而，现有技术在TiO2-SiO2玻璃的固化工艺上存在着工作效率差，控温效果差以及反应炉管实用性低等问题，这些问题均亟待解决。

发明内容

针对上述问题，本发明提出一种氧化钛掺杂旋涂玻璃固化装置，主要解决背景技术中的问题。

本发明提出一种氧化钛掺杂旋涂玻璃固化装置，包括反应炉，所述反应炉为反向炉管设计，所述反应炉的上端开设有石英分隔板，所述石英分隔板将所述反应炉的双石英管内外分为内通道和外通道，所述内通道上设置有第一进气口和第二进气口，所述外通道上设置有出气口，所述反应炉的顶端设置有进料口，所述进料口上方设置有多层石墨基座，所述多层石墨基座通过升降机构进入所述进料口进行反应，所述反应炉的外管壁上由上而下分别设置有第一线圈和第二线圈，所述第一线圈和所述第二线圈用于为所述反应炉加热。

进一步改进在于，所述第一进气口用于通入氮气，所述第二进气口用于通入氩气或是氦气，所述出气口连接真空管道，气体经由所述内通道进入所述反应炉，经由所述外通道排出所述反应炉。

进一步改进在于，所述第一线圈为直流线圈，所述第一线圈通过电阻加热保持温度小于1100℃。

进一步改进在于，所述第二线圈为直流+射频线圈，所述第二线圈通过电阻+电磁加热保持温度小于1700℃。

进一步改进在于，所述多层石墨基座包括基座本体，所述基座本体包括多层基座，每个基座表面上均设置有石英基材，所述石英基材中心设置有凹槽，所述凹槽用于填充氧化钛掺杂旋涂玻璃，所述基座本体的上方设置有石墨悬挂器，所述石墨悬挂器通过与所述升降机构连接实现所述多层石墨基座的上下升降。

进一步改进在于，所述多层石墨基座上还设置有旋转机构，所述旋转机构用于旋转所述多层石墨基座，使其受热均匀。

进一步改进在于，所述多层石墨基座整体采用石墨制成。

进一步改进在于，所述石英双炉管和所述石英分隔板为一体成型设计。

进一步改进在于，所述石英双炉管和所述石英分隔板为两个相互独立的结构。

进一步改进在于，第一线圈和所述第二线圈单独均可为由上至下渐变多区加热线圈数，端视由上到下的温度梯度要求决定。