[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底包括相邻的第一区和第二区，在所述第一区和所述第二区上形成的器件可以相同或不同；

分别位于所述第一区和所述第二区上的第一沟道层、第二沟道层和第三沟道层，所述第一沟道层、第二沟道层和第三沟道层依次沿所述衬底表面法线方向堆叠；

位于所述第一沟道层与所述衬底之间的第一内侧墙，所述第一内侧墙位于所述衬底上且支撑所述第一沟道层两端，所述第一内侧墙的端面与第一沟道层端面共垂直面；

位于所述第一沟道层与所述第二沟道层之间的第二内侧墙，所述第二内侧墙位于所述第一沟道层上且支撑所述第二沟道层两端，所述第二内侧墙的端面与第二沟道层端面共垂直面；

位于所述第二沟道层与所述第三沟道层之间的第三内侧墙，所述第三内侧墙位于所述第二沟道层上且支撑所述第三沟道层两端，所述第三内侧墙的端面与第三沟道层端面共垂直面；

位于堆叠的所述第一沟道层、第二沟道层和第三沟道层两侧的源漏掺杂层，所述源漏掺杂层与所述第一沟道层、第二沟道层、第三沟道层、第一内侧墙、第二内侧墙以及第三内侧墙的端部连接；

位于所述衬底上的栅极结构，所述栅极结构沿垂直于所述第一沟道层、第二沟道层和第三沟道层的延伸方向包围所述第一沟道层、第二沟道层和第三沟道层，且所述栅极结构横跨所述第一区和所述第二区；

位于所述衬底上的介质层，所述介质层覆盖所述栅极结构的侧壁，且所述介质层的顶部表面高于所述栅极结构的顶部表面，以使得在所述介质层内具有导电开口，所述导电开口暴露出所述栅极结构的顶部表面；

位于所述导电开口内的导电层，所述导电层连接位于所述第一区和所述第二区上的栅极结构。

2.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，还包括：第四沟道层，第四沟道层位于所述第三沟道层上；位于所述第三沟道层与所述第四沟道层之间的第四内侧墙，所述第四内侧墙位于所述第三沟道层上且支撑所述第四沟道层两端，所述第四内侧墙的端面与第四沟道层端面共垂直面。

3.如权利要求2所述半导体结构，其特征在于，还包括：第五沟道层，第五沟道层位于所述第四沟道层上；位于所述第四沟道层与所述第五沟道层之间的第五内侧墙，所述第五内侧墙位于所述第四沟道层上且支撑所述第五沟道层两端，所述第五内侧墙的端面与第五沟道层端面共垂直面。

4.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，所述导电层的材料包括金属；所述金属包括铝。

5.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，位于所述第一区上的栅极结构和位于所述第二区上的栅极结构是分开形成，在所述第一区上的栅极结构和所述第二区上的栅极结构之间具有栅介质层。

6.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，位于所述第一区上的栅极结构和位于所述第二区上的栅极结构是同时形成。

7.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述第一区上的源漏掺杂层内具有第一源漏离子；位于所述第二区上的源漏掺杂层内具有第二源漏离子，所述第一源漏离子与所述第二源漏离子的电学类型不同。

8.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，所述第一沟道层、第二沟道层和第三沟道层的材料包括硅。