[发明专利]半导体工艺设备及其进气装置

权利要求书

1.一种半导体工艺设备的进气装置，设置于所述半导体工艺设备的工艺腔室顶部，用于向所述工艺腔室内输入工艺气体，其特征在于，包括：进气块组件及连接组件，所述进气块组件及连接组件均采用抗腐蚀的材质制成；

所述进气块组件内形成有混气腔、输气通道及混气通道，所述进气块组件与所述工艺腔室的上盖密封连接，所述输气通道的进气口与所述混气腔连通，所述输气通道的出气口与所述工艺腔室连通；所述混气通道的多个进气口形成于进气块组件的外表面上，所述混气通道的出气口与所述混气腔连通；

多个所述连接组件均设置于所述进气块组件上，并且多个所述连接组件与所述混气通道的多个进气口一一对应连通，分别用于与多个工艺气体供给源连接，以选择性向所述混气通道内通入或停止通入工艺气体。

2.如权利要求1所述的进气装置，其特征在于，所述进气块组件为铝材质制成，并且包括有依次密封连接的第一进气块、第二进气块及第三进气块，所述第一进气块与所述工艺腔室的上盖密封连接；

所述输气通道形成于所述第一进气块及所述第二进气块内，所述混气腔形成于所述第二进气块及第三进气块之间；所述混气通道形成于所述第二进气块及第三进气块内。

3.如权利要求2所述的进气装置，其特征在于，所述进气装置还包括有控温组件，所述第一进气块、所述第二进气块及所述第三进气块内均设置有所述控温组件，用于检测及控制所述第一进气块、所述第二进气块及所述第三进气块的温度。

4.如权利要求2所述的进气装置，其特征在于，所述输气通道包括第一输气支路及第二输气支路；

所述第一输气支路包括形成于所述第一进气块内的相互连通的第一竖通道及第一横通道，所述第一竖通道沿所述第一进气块的长度方向延伸设置，所述第一横通道沿所述第一进气块的径向延伸设置；所述第一竖通道与所述工艺腔室连通，所述第一横通道所述第二输气支路连通；

所述第二输气支路包括形成于所述第二进气块内的两个相互连通的第二横通道，两个所述第二横通道均沿所述第二进气块的径向延伸设置，其中一个所述第二横通道与所述第一横通道连通，另一个第二横通道与所述混气腔连通。

5.如权利要求2所述的进气装置，其特征在于，所述第三进气块的一侧面上开设有混气槽，所述混气槽的开口与所述第二进气块的侧面密封连接以形成所述混气腔。

6.如权利要求2所述的进气装置，其特征在于，所述混气通道包括第一混气支路、连接支路及多个第二混气支路；所述第一混气支路包括形成于第三进气块内的相互连通的第三横通道及第四横通道，所述第三横通道及所述第四横通道均沿所述第三进气块的径向延伸设置，所述第三横通道与所述混气腔连通，所述第四横通道延伸至所述第三进气块的侧面；所述连接支路包括形成于所述第三进气块内的第六横通道及形成于所述第二进气块内的第七横通道，所述第六横通道与所述第七横通道连通设置，所述第六横通道与所述第四横通道相互连通；多个所述第二混气支路包括分别为形成于所述第二进气块及第三进气块内的多个第五横通道，形成于所述第三进气块中的所述第五横通道均与所述第六横通道连通，形成于所述第二进气块中的所述第五横通道均与所述第七横通道连通。

7.如权利要求3所述的进气装置，其特征在于，所述控温组件包括加热部件及第一测温部件，所述第一进气块、所述第二进气块及所述第三进气块内均设置有所述加热部件及所述第一测温部件，并且所述第一测温部件与所述加热部件电连接；所述第一测温部件用于检测所述第一进气块、所述第二进气块及所述第三进气块的温度，并且根据所述温度控制所述加热部件的加热功率。

8.如权利要求7所述的进气装置，其特征在于，所述控温组件还包括第二测温部件，所述第二测温部件均设置于所述第一进气块、所述第二进气块及所述第三进气块内，用于检测所述第一进气块、所述第二进气块及所述第三进气块的温度并示出。