[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置

说明书

本发明提供一种能够容易地确认气泡供给管的开口的状态的基板处理装置以及基板处理方法。基板处理装置(100A)具备处理槽(110)、气泡供给管(180A)、测量部(353)和判定部(12)。处理槽(110)贮留处理液(LQ)并浸渍基板(W)。气泡供给管(180A)具有向处理液(LQ)中供给气体以形成气泡的多个开口(G)。测量部(353)在处理液(LQ)中测量由被供给了气泡的处理液(LQ)的状态引起的物理量。判定部(12)基于物理量判定多个开口(G)的状态。

技术领域

本发明涉及一种基板处理方法以及基板处理装置。

背景技术

已知在半导体装置和液晶显示装置等电子部件中使用的基板由基板处理装置处理。通过将基板浸渍在处理槽内的处理液中来进行基板的处理(例如，参照专利文献1)。

近年来，伴随着半导体基板上形成的元件的微细化或三维化，使基板的处理均匀化的需求变高。例如，具有三维结构的NAND元件，包含具有立体的凹凸结构的层叠结构。在元件图案的凹凸结构的凹部滞留处理液的情况下，凹部内的液体置换变得不充分。因此，作为促进对包含凹部的基板整体充分地进行液体置换的方法，具有在浸渍于处理槽的基板的下方配置气泡发生器(气泡供给管)，从气泡发生器产生气泡以促进处理槽内的液体置换的技术。

在专利文献1中，记载了这种气泡发生器的应用例。在专利文献1的基板处理装置中，在将基板浸渍在贮留有磷酸水溶液的处理槽中并处理基板时，从配置于在处理槽中浸渍的基板下方的气泡发生器产生气泡。气泡发生器是筒状的，且具有许多喷出口(许多开口)。气泡发生器的一端连接有向气泡发生器供给混合气体的气体供给配管。另外，气泡发生器通过从各喷出口向磷酸水溶液中吹出混合气体，在磷酸水溶液中产生混合气体的气泡。

产生的气泡在载置于处理槽内的多个基板与基板之间的间隙中上升，并使磷酸水溶液循环。通过该循环，促进基板上形成的元件图案周围的液体置换。

专利文献1：日本特开2018-56258号公报。

对基板进行磷酸处理的结果，溶出到磷酸水溶液中的成分，也可能析出到气泡发生器。

在溶出成分析出沉积在气泡发生器的喷出口的状态下，可能发生所谓的堵塞(clogging)，供给的气泡的粒形、分布、上升速度可能变动。其结果是，可能影响基板处理的均匀性。因此，定期从处理槽排出磷酸水溶液，并目视确认开口的状态。其结果是，确认开口的状态需要花费时间精力。

发明内容

本发明是鉴于上述课题而完成的，其目的是提供一种能够容易地确认气泡供给管的开口的状态的基板处理方法以及基板处理装置。

根据本发明的一个方面，基板处理方法使用处理液处理基板。所述基板处理方法包含：向具有多个开口的气泡供给管供给气体，并向所述处理液中供给所述气体以形成气泡的工序；在所述处理液中测量由被供给了所述气泡的所述处理液的状态引起的物理量的工序；基于所述物理量，判定所述多个开口的状态的工序。

在本发明的基板处理方法中，优选所述物理量表示被供给了所述气泡的所述处理液的比重，在所述判定的工序中，基于所述比重判定所述多个开口的状态。

在本发明的基板处理方法中，优选所述物理量表示在被供给了所述气泡的所述处理液中产生的压力，在所述判定的工序中，基于所述压力判定所述多个开口的状态。

在本发明的基板处理方法中，优选在判定所述状态的所述工序中，比较在第一时间测量的所述物理量即基准物理量与在第二时间测量的所述物理量即测量物理量，来判定所述多个开口的状态，所述第一时间与所述第二时间不同。

在本发明的基板处理方法中，优选所述第一时间表示处理所述基板之前的时间，所述第二时间表示处理所述基板之后的时间，在判定所述状态的所述工序中，基于所述基准物理量与所述测量物理量的差分，来判定所述多个开口的状态是否异常。