[发明专利]像素驱动电路及其驱动方法、显示面板、显示装置有效

专利信息
申请号: 202110864788.0 申请日: 2021-07-29
公开(公告)号: CN113593471B 公开(公告)日: 2022-12-02
发明(设计)人: 付焕章;杨映帆;刘宇熙;张礼厅 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;绵阳京东方光电科技有限公司
主分类号: G09G3/32 分类号: G09G3/32;G09G3/3208
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 像素 驱动 电路 及其 方法 显示 面板 显示装置
【说明书】:

发明的实施例提供一种像素驱动电路及其驱动方法、显示面板、显示装置,涉及显示技术领域,用以改善显示装置在高亮度模式下的黑画面发亮问题。像素驱动电路包括:驱动子电路和第一复位子电路,驱动子电路包括控制端、第一端和第二端,驱动子电路被配置为控制流经第一端和第二端的驱动电流;驱动子电路的第一端与第一电源电压端耦接,驱动子电路的第二端与第一节点耦接。第一复位子电路耦接在第一节点与复位电压端之间,被配置为在第一复位阶段响应于第一控制信号,在复位电压端和第一节点之间形成第一通路;在第二复位阶段,响应于第二控制信号,在复位电压端和第一节点之间形成第二通路。其中,第一通路的等效电阻大于第二通路的等效电阻。

技术领域

本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种像素驱动电路及其驱动方法、显示面板、显示装置。

背景技术

随着智能手机、平板电脑等电子设备的普及以及电子技术的不断发展,电子设备的应用场景逐渐趋于多样化。电子设备中的显示屏作为与用户进行信息互通的桥梁,为不同的应用场景提供特定的显示模式,可以大大提升用户的使用体验。例如,在阳光炽烈的户外,显示屏的高亮度模式(High Brightness Mode,简称HBM)可以提供比普通模式下的最高亮度更高的显示亮度,使得用户能够轻松地看清楚显示屏上的显示内容。

然而,在另一些应用场景中,显示屏的高亮度模式所提供的显示亮度仍无法满足用户的使用需求,例如,当用户使用付款二维码进行支付操作时,由于扫描设备要求的图像显示亮度高于显示屏在高亮度模式下的显示亮度,使得在高亮度模式下显示的付款二维码的图像无法被扫描设备识别,从而限制了该电子设备在这些场景中的应用。那么,如何提高显示屏在高亮度模式下的显示亮度成为了设计者需要解决的问题。

在相关技术中,通过调整显示屏中对像素驱动电路供电的电源电压来提高显示屏在高亮度模式下的显示亮度。参见图1,图1为有机发光二极管(Organic Light-EmittingDiode,简称OLED)显示屏中的一个像素驱动电路和一个发光器件20(即OLED器件)耦接的等效电路图,如图所示,发光器件20的两极分别与第一电源电压端VDD和第二电源电压端VSS耦接,其中,第一电源电压端VDD提供稳定的电压,第二电源电压端VSS的电压可调,并且第二电源电压端VSS在高亮度模式下的电压低于在普通模式下的电压。这样,当显示屏处于高亮度模式时,由于第一电源电压端VDD与第二电源电压端VSS之间的跨压较普通模式时大,使得流经发光器件20的驱动电流随之增大,进而提高了发光器件20的发光亮度。但是,随着第二电源电压端VSS的电压的降低,发光器件20的发光状态也会受到影响,例如,当显示屏在高亮度模式下显示黑画面时,由于第二电源电压端VSS与复位信号端Vint之间的跨压增大,导致流经晶体管T’的漏电流增大,在漏电流与驱动电流的共同作用下,发光器件20在本不应该发光的情况下发出光,即产生黑画面发亮的问题。

发明内容

为了改善显示装置在高亮度模式下产生的黑画面发亮问题,本发明的实施例采用如下技术方案:

第一方面,提供了一种像素驱动电路,该像素驱动电路包括:驱动子电路和第一复位子电路,驱动子电路包括控制端、第一端和第二端,驱动子电路被配置为控制流经驱动子电路的第一端和第二端的驱动电流;驱动子电路的第一端与第一电源电压端耦接,驱动子电路的第二端与第一节点耦接,第一节点和第二电源电压端被配置为分别与发光器件的两极耦接。第一复位子电路耦接在第一节点与复位电压端之间,被配置为在第一复位阶段,响应于第一控制信号,在复位电压端和所述第一节点之间形成第一通路;在第二复位阶段,响应于第二控制信号,在复位电压端和第一节点之间形成第二通路。其中,第一通路的等效电阻大于第二通路的等效电阻。

可选地,第一复位子电路包括:第一晶体管和第二晶体管,其中,第一晶体管的控制极与第一控制信号端耦接,被配置为接收第一控制信号,第一晶体管的第一极与复位电压端耦接,第一晶体管的第二极与第一节点耦接。第二晶体管的控制极与第二控制信号端耦接,被配置为接收第二控制信号,第二晶体管的第一极与复位电压端耦接,第二晶体管的第二极与所述第一节点耦接。其中,第一晶体管的宽长比小于第二晶体管的宽长比。

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