[发明专利]半导体封装方法

说明书

本申请提供一种半导体封装方法。所述半导体封装方法包括：形成半导体中间结构，半导体中间结构包括载板、芯片及导电柱，芯片贴装在载板上且芯片的正面背离载板，芯片的正面设有焊垫；导电柱设置在焊垫背离载板的一侧，并与焊垫电连接；在载板上形成支撑层，支撑层包封芯片的侧面及正面，导电柱背离芯片的一侧露出支撑层，支撑层的材料为导电材料；在支撑层背离载板的一侧形成第一绝缘层，第一绝缘层设有第一镂空部，第一镂空部暴露导电柱背离芯片的表面及所撑层背离芯片的部分表面；将支撑层连接至电源，进行电镀，以在第一镂空部内形成与导电柱电连接的第一再布线层；去除支撑层，并形成塑封层，塑封层至少包封芯片的侧部。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体封装方法。

背景技术

常见的半导体封装技术，比如芯片封装技术主要包含下述工艺过程：首先将芯片贴装在载板上，进行热压塑封形成塑封层，然后在塑封层的表面形成将芯片正面的焊垫引出的迹线结构。

一般形成再布线层的过程如下：首先在塑封层上形成整层的种子层，之后在种子层上形成具有镂空的绝缘层，之后进行电镀在镂空内形成引线，最后将绝缘层剥掉并将种子层被绝缘层覆盖的部分刻蚀掉，得到迹线结构。但是在将绝缘层剥掉的过程中，可能会导致引线发生偏移或者掉落，且对种子层进行刻蚀的过程中种子层朝向焊垫一侧的部分可能会被刻蚀掉，使迹线结构朝向焊垫的一侧出现切口，导致迹线结构易发生偏移或者掉落。也即是，现有的半导体封装技术得到的产品的良率较低。

发明内容

本申请实施例提供了一种半导体封装方法。所述半导体封装方法包括：

形成半导体中间结构，所述半导体中间结构包括载板、芯片及导电柱，所述芯片贴装在所述载板上且所述芯片的正面背离所述载板，所述芯片的正面设有焊垫；所述导电柱设置在所述焊垫背离所述载板的一侧，并与所述焊垫电连接；

在所述载板上形成支撑层，所述支撑层包封所述芯片的侧面及正面，所述导电柱背离所述芯片的一侧露出所述支撑层，所述支撑层的材料为导电材料；

在所述支撑层背离所述载板的一侧形成第一绝缘层，所述第一绝缘层设有第一镂空部，所述第一镂空部暴露所述导电柱背离所述芯片的表面及所述支撑层背离所述芯片的部分表面；

将所述支撑层连接至电源，进行电镀，以在所述第一镂空部内形成与所述导电柱电连接的第一再布线层；

去除所述支撑层，并形成塑封层，所述塑封层至少包封所述芯片的侧部。

在一个实施例中，所述导电柱背离所述载板的表面到所述载板的距离大于所述芯片背离所述载板的表面到所述载板的距离，所述去除所述支撑层之后，且所述形成塑封层之前，所述半导体封装方法还包括：

在所述芯片的正面与所述第一绝缘层之间的间隙形成填充部。

在一个实施例中，所述去除所述支撑层之前，所述半导体封装方法还包括：至少执行一次如下步骤：

在所述第一绝缘层背离所述芯片的一侧形成第二绝缘层，所述第二绝缘层设有第二镂空部；

形成种子层，所述种子层覆盖所述第二绝缘层背离所述芯片的表面及所述第二镂空部，且所述种子层在所述第二镂空部的侧面断开；

基于所述种子层形成位于所述第二镂空部的导电结构，所述导电结构与所述第一再布线层电连接；

去除所述种子层位于第二绝缘层背离所述芯片一侧的部分，得到第二再布线层，所述第二再布线层包括所述导电结构及保留的种子层。

在一个实施例中，所述第二绝缘层的厚度大于5μm。

在一个实施例中，所述支撑层的材料为金属锡；

所述在所述载板上形成支撑层，包括：