[发明专利]一种电磁分离式镀膜装置及方法在审
申请号: | 202110864919.5 | 申请日: | 2021-07-29 |
公开(公告)号: | CN113564552A | 公开(公告)日: | 2021-10-29 |
发明(设计)人: | 张斌;贾倩;张俊彦;高凯雄 | 申请(专利权)人: | 中国科学院兰州化学物理研究所 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35 |
代理公司: | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人: | 史云聪 |
地址: | 730000 甘*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电磁 分离 镀膜 装置 方法 | ||
1.一种电磁分离式镀膜装置,其特征在于,包括主真空腔体,所述主真空腔体的前后两侧均开设有真空腔体门,前后两个所述真空腔门体的正中位置均设置有一组磁控溅射靶,两组所述磁控溅射靶对称设置;所述主真空腔体的左右两侧外壁上对称设有两组离子源,每组所述离子源的两侧分别对称设有两组磁感线圈;所述主真空腔体的顶部连接有真空泵组,所述主真空腔体内底部安装有工件架,所述工件架用于安装待沉积样件;所述主真空腔体内还安装有辅助阳极。
2.根据权利要求1所述的电磁分离式镀膜装置,其特征在于:所述主真空腔体为750mmx6750mmx850mm的长方体腔体。
3.根据权利要求2所述的电磁分离式镀膜装置,其特征在于:所述辅助阳极采用阳极杆,所述主真空腔体内四个角处均安装有所述阳极杆。
4.根据权利要求3所述的电磁分离式镀膜装置,其特征在于:所述阳极杆连接有可调正偏压电源,所述可调正偏压电源的电压为0-500V。
5.根据权利要求1所述的电磁分离式镀膜装置,其特征在于:所述真空腔门体采用蚌式侧开门。
6.根据权利要求1所述的电磁分离式镀膜装置,其特征在于:所述离子源连接有可调电源,所述可调电源的电压为0-2000V、频率为20KHz,所述可调电源能够提供直流对称脉冲电源,所述直流对称脉冲电源的电源波形为正弦波或矩形波。
7.根据权利要求6所述的电磁分离式镀膜装置,其特征在于:每个所述离子源两侧相对的所述电磁线圈均由一组直流/直流对称脉冲电源供电,所述直流/直流对称脉冲电源的电源波形为正弦波或矩形波。
8.根据权利要求1所述的电磁分离式镀膜装置,其特征在于:所述磁控溅射靶安装于所述真空腔体门背离所述主真空腔体的一侧,所述磁控溅射靶连接有20KW微脉冲磁控溅射电源,脉冲占空比50%。
9.根据权利要求1所述的电磁分离式镀膜装置,其特征在于:所述工件架采用行星公转装置。
10.一种电磁分离式镀膜方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤一、将被沉积样件清洗干净,安装在工件架上,对主真空腔体进行抽真空;
步骤二、设置工件架的转速,主真空腔体内充入氩气至设定压力;
步骤三、打开与离子源相连的可调电源,打开电磁线圈电源;
步骤四、使加在被沉积样件上的偏压电源保持设定电压,氩离子对被沉积样件轰击清洗;
步骤五、打开磁控溅射靶的电源,Ti金属离子注入沉积设定时间;
步骤六、调整偏压,沉积金属Ti;
步骤七、通入氮气,沉积氮化钛;
步骤八、关闭电磁分离式镀膜装置,冲入氮气,待主真空腔体内降到设定温度,再充入空气,打开主真空腔体,取出被沉积样件。
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