[发明专利]半导体器件的制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底中形成有光电二极管区和浮动扩散区；

在所述衬底上形成图形化的掩膜层；以及，

以所述图形化的掩膜层为掩模刻蚀所述衬底的部分深度，以在所述衬底内形成位于所述光电二极管区和所述浮动扩散区之间的栅极沟槽，所述栅极沟槽的至少部分深度采用循环刻蚀工艺形成，所述循环刻蚀工艺包括循环进行的第一刻蚀工艺和第二刻蚀工艺，所述第一刻蚀工艺用于刻蚀所述衬底，所述第二刻蚀工艺用于刻蚀所述第一刻蚀工艺中形成的聚合物，所述栅极沟槽采用所述循环刻蚀工艺形成的部分的侧壁垂直。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述循环刻蚀工艺的刻蚀功率均为800W～1000W。

3.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述聚合物的成分包含碳、氟和氮。

4.如权利要求1或3所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第二刻蚀工艺的刻蚀气体包括氧气。

5.如权利要求4所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述栅极沟槽包括连通的第一沟槽和第二沟槽，所述第二沟槽位于所述第一沟槽的下方，所述第一沟槽通过所述循环刻蚀工艺形成，所述第二沟槽通过第三刻蚀工艺形成。

6.如权利要求5所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一沟槽的深度大于第二沟槽的深度。

7.如权利要求5所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第三刻蚀工艺的刻蚀气体中包括第一类气体和第二类气体，所述第一类气体用于刻蚀所述衬底，所述第二类气体用于氧化所述衬底，以使所述第二沟槽的底部圆化。

8.如权利要求7所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第三刻蚀工艺中氧气的流量大于所述第二刻蚀工艺中氧气的流量。

9.如权利要求8所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第三刻蚀工艺的刻蚀功率为300W～500W。

10.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述栅极沟槽的深度为所述栅极沟槽的横向宽度为100nm～130nm。