[发明专利]一种高熵二硼化物-碳化硅复相陶瓷、制备方法及其应用有效

专利信息
申请号: 202110866044.2 申请日: 2021-07-29
公开(公告)号: CN113698209B 公开(公告)日: 2023-01-06
发明(设计)人: 王东;冉松林;丁祥;金星;李庆归 申请(专利权)人: 安徽工业大学科技园有限公司
主分类号: C04B35/573 分类号: C04B35/573;C04B35/58;C04B35/626;C04B35/645
代理公司: 合肥昊晟德专利代理事务所(普通合伙) 34153 代理人: 王林
地址: 243000 安徽省马鞍山市经*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 高熵二硼化物 碳化硅 陶瓷 制备 方法 及其 应用
【权利要求书】:

1.一种高熵二硼化物-碳化硅复相陶瓷,其特征在于,包括以下组分:过渡金属碳化物粉末、碳化硼粉、硅粉末、碳化硅粉,所述过渡金属包括碳化钛、碳化锆、碳化铪、碳化钒、碳化铌、碳化钽、碳化铬、碳化钼、碳化钨中的任意5~9种,所述组分的摩尔份数分别为:过渡金属碳化物粉末每种1~5份,碳化硼粉为过渡金属碳化物总份数的0.5~1倍,硅粉为过渡金属碳化物总份数的1.5~2倍,碳化硅粉为过渡金属碳化物总份数的0~3倍。

2.如权利要求1所述的一种高熵二硼化物-碳化硅复相陶瓷,其特征在于,所述过渡金属碳化物粉末纯度>98%,粒度0.5~3μm。

3.如权利要求1所述的一种高熵二硼化物-碳化硅复相陶瓷,其特征在于,所述碳化硼粉纯度>95%,粒度0.5~3μm。

4.如权利要求1所述的一种高熵二硼化物-碳化硅复相陶瓷,其特征在于,所述硅粉末纯度>99%,粒度0.5~3μm。

5.如权利要求1所述的一种高熵二硼化物-碳化硅复相陶瓷,其特征在于,所述碳化硅粉末纯度>99%,粒度0.5~3μm。

6.一种如权利要求1~5任一项所述的高熵二硼化物-碳化硅复相陶瓷的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

S1:将过渡金属碳化物粉末、碳化硼粉、硅粉、碳化硅粉和无水乙醇放入球磨罐中,加入氧化锆磨球,在球磨混料机上以100r/min的速度混合24小时;

S2:将步骤S1中得到的混合浆料蒸干,然后在80℃下干燥24h;

S3:将步骤S2经干燥后的混合粉末研细,过200目标准筛;

S4:将步骤S3中得到的混合粉末装入石墨模具,在放电等离子烧结炉中先以100~200℃/min的速度升温到1200~1500℃,保温1~10min,然后以100~

200℃/min的速度升温到1900~2200℃,同时加压20~50MPa,保持1~20min后降温减压;

S5:将复相陶瓷块体从石墨模具中脱模取出。

7.一种如权利要求1~5任一项所述的高熵二硼化物-碳化硅复相陶瓷在超高温材料、超硬材料以及陶瓷刀具领域中的应用。

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