[发明专利]半导体封装方法在审
申请号: | 202110866692.8 | 申请日: | 2021-07-29 |
公开(公告)号: | CN113611616A | 公开(公告)日: | 2021-11-05 |
发明(设计)人: | 周文武 | 申请(专利权)人: | 矽磐微电子(重庆)有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/48 |
代理公司: | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人: | 张玲玲 |
地址: | 401331 重*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 方法 | ||
1.一种半导体封装方法,其特征在于,包括:
提供载板,所述载板包括载板本体及设置在所述载板本体上的辅助层,且所述载板包括用于贴装芯片的贴装区;
提供芯片,所述芯片的正面设有焊垫和粘结层,所述粘结层为膜层状且未固化;
将至少一个芯片放置于所述载板的贴装区,所述粘结层朝向所述辅助层;
固化所述粘结层;
形成塑封层,所述塑封层至少覆盖所述芯片的侧面,得到包括所述塑封层及所述芯片的塑封结构;
执行第一加热操作,使所述辅助层熔化,并将所述塑封结构与所述载板分离;
在固化的所述粘结层上形成再布线结构,所述再布线结构与所述芯片的焊垫电连接。
2.根据权利要求1所述的半导体封装方法,其特征在于,所述粘结层的材料包括绝缘树脂材料;所述粘结层的固化温度小于所述辅助层的熔化温度;
所述固化所述粘结层,包括:
执行第二加热操作,使所述粘结层固化。
3.根据权利要求1所述的半导体封装方法,其特征在于,所述辅助层的材料为锡。
4.根据权利要求3所述的半导体封装方法,其特征在于,所述载板本体的材料为金属。
5.根据权利要求1所述的半导体封装方法,其特征在于,所述载板设有定位结构;所述载板还包括位于所述贴装区之外的非贴装区,所述定位结构位于所述非贴装区。
6.根据权利要求5所述的半导体封装方法,其特征在于,所述定位结构形成在所辅助层;所述塑封层覆盖所述定位结构;所述形成塑封层后,所述定位结构使所述塑封层朝向所述载板的表面形成定位部。
7.根据权利要求6所述的半导体封装方法,其特征在于,所述定位结构包括多个凹槽结构,所述定位部包括与各个所述凹槽结构对应的凸起部;或者,
所述定位结构包括多个凸起结构,所述定位部包括与各个所述凸起结构对应的凹槽部。
8.根据权利要求7所述的半导体封装方法,其特征在于,所述定位结构包括多个凹槽结构时,所凹槽结构的深度大于或等于10μm,且小于或等于30μm;所述定位结构包括多个凸起结构时,所述凸起结构的厚度大于或等于10μm,且小于或等于30μm。
9.根据权利要求1所述的半导体封装方法,其特征在于,所述执行第一加热操作,使所述辅助层熔化,并将所述塑封结构与所述载板分离的步骤中,所述载板位于所述塑封结构下方;
所述将所述塑封结构与所述载板分离,包括:
将所述塑封结构从所述载板上取下,熔化的所述辅助层在重力作用下留在所述载板本体上。
10.根据权利要求1所述的半导体封装方法,其特征在于,所述在所述粘结层上形成再布线结构之前,所述半导体封装方法还包括:
在固化的所述粘结层上形成开孔,所述开孔暴露所述焊垫。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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