[发明专利]一种提高系统存储性能的方法、系统、设备和存储介质有效
申请号: | 202110867262.8 | 申请日: | 2021-07-29 |
公开(公告)号: | CN113741807B | 公开(公告)日: | 2023-08-11 |
发明(设计)人: | 王志浩;岳永恒 | 申请(专利权)人: | 苏州浪潮智能科技有限公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06 |
代理公司: | 济南诚智商标专利事务所有限公司 37105 | 代理人: | 李修杰 |
地址: | 215100 江苏省苏州市吴*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提高 系统 存储 性能 方法 设备 介质 | ||
本发明提出了一种提高系统存储性能的方法、系统、设备和存储介质,该方法包括根据磁盘介质将磁盘模块进行预设分层,周期性的对预设分层后磁盘模块的I/O模型性能进行检测得到I/O模型的实际性能;I/O模型用于表征数据块的存储方式;判断I/O模型的实际性能与预设分层性能是否相同,如果在预设周期内均不同,则按照性能差值比的比例调整磁盘模块的分层;基于该方法,还提出了一种提高系统存储性能的系统、设备和存储介质,本方法根据周期性磁盘性能检测,与预设的磁盘介质综合确认其所在系统数据分层的合理性,并根据大小数据块分别校准数据分层,可以一直为系统提供高效率的分层加速功能,进而提高了整机系统的性能。
技术领域
本发明属于分布式文件系统存储技术领域,特别涉及一种提高系统存储性能的方法、系统、设备和存储介质。
背景技术
存储阵列:由大量的存储单元组成,每个存储单元能存放1位二值数据(0,1)。通常存储单元排列成N行×M列矩阵形式。它是把多个磁盘组成一个阵列,当作单一磁盘使用,它将数据以分段(striping )的方式储存在不同的磁盘中,存取数据时,阵列中的相关磁盘一起动作,大幅减低数据的存取时间,同时有更佳的空间利用率。当前统一阵列存储一般采用针对磁盘介质的分层加速功能来提高系统性能。按照FLASH、SAS、 NL SAS等不同种类磁盘进行不同的分层,热数据跑在SLC FLASH层,温数据跑在 TLC FLASH层,冷数据跑在低转速HDD层等。其中SLC = Single-Level Cell,即1 bit per cell,1个存储器储存单元可存放1bit的数据,只存在0和1两个充电值。TLC = Triple-Level Cell,即3 bit per cell,1个存储器储存单元可存放3 bit的数据。
但是这种按照介质分层的方法简单粗暴,分层最终依靠的是磁盘不同的性能,根据技术成熟度的不同或者工艺差距,存在部分厂商的SLC FLASH性能低于其他厂商MLCFLASH的情况,如果此时将低性能厂商的SLC设置跑热数据,相对高性能厂商的MLC跑温数据,则热数据层在IO流中会成为瓶颈,进而影响整机系统的性能。
发明内容
为了解决上述技术问题,本发明提出了一种提高系统存储性能的方法、系统、设备和存储介质,根据周期性磁盘性能检测,与预设的磁盘介质综合确认其所在系统数据分层的合理性,并根据大小数据块分别校准数据分层,保证可以一直为系统提供高效率的分层加速功能,进而提高了整机系统的性能。
为实现上述目的,本发明采用以下技术方案:
一种提高系统存储性能的方法,包括以下步骤:
周期性的对预设分层后磁盘模块的I/O模型性能进行检测得到I/O模型的实际性能;所述I/O模型用于表征数据块的存储方式;
判断I/O模型的实际性能与预设分层性能是否相同,如果在预设周期内均不同,则按照性能差值比的比例调整磁盘模块的分层;所述性能差值比为预设分层性能与实际性能的比。
进一步的,所述在周期性的对分层后磁盘模块的I/O模型性能进行检测之前还包括:根据磁盘介质将磁盘模块进行预设分层,并将所述预设分层信息发送至操作系统。
进一步的,所述根据磁盘介质将磁盘模块进行预设分层包括:
热数据存储至FLASH;
温数据存储至SAS;
冷数据存储至NL SAS。
进一步的,所述I/O模型具体包括大数据块顺序存储模型、大数据块随机存储模型、小数据顺序存储模型和小数据块随机存储模型;
所述大数据块的范围为[256KB,1M];所述小数据块的范围为(0KB,16KB]。
进一步的,所述周期性的对预设分层后磁盘模块的I/O模型性能进行检测得到I/O模型的实际性能的方法为:
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