[发明专利]一种光探测器、制备方法以及光模块

权利要求书

1.一种光探测器，其特征在于，用于光模块，包括：

衬底；

掩埋层，设置在所述衬底的上方；

光耦合器，位于所述掩埋层内，用于耦合外部信号光；

脊波导，位于所述掩埋层内，包括连接的连接部和掺杂部，所述连接部的一端连接所述光耦合器，高速信号光通过所述光耦合器耦合传输至所述连接部；

P型掺杂区，位于所述掺杂部的一侧，采用P型离子掺杂；

P型电荷区，位于所述掺杂部的另一侧，采用P型离子掺杂,所述P型电荷区的离子掺杂浓度小于所述P型掺杂区的离子掺杂浓度；

N型掺杂区，位于所述P型电荷区远离所述P型掺杂区的一侧，采用N型离子掺杂，与所述P型电荷区之间具有间隔，所述间隔用作雪崩倍增区；

P型接触区，位于所述P型掺杂区，所述P型接触区的离子掺杂浓度大于所述P型掺杂区的浓度；

N型接触区，位于所述N型掺杂区，所述N型接触区的离子掺杂浓度大于所述N型掺杂区的离子掺杂浓度；

第一电极，一端电连接所述N型接触区，另一端设置在所述掩埋层的表面；

第二电极，一端电连接所述P型接触区，另一端设置在所述掩埋层的表面；

锗吸收层，位于所述掺杂部的顶面上。

2.根据权利要求1所述光探测器，其特征在于，所述脊波导的掺杂部包括第一薄波导区、第二薄波导区和厚波导区，所述第一薄波导区位于所述厚波导区的一侧，所述第一薄波导区位于所述厚波导区的另一侧；

所述N型掺杂区位于所述第一薄波导区，所述P型接触区位于所述第二薄波导区；

所述锗吸收层位于所述厚波导区的顶面上。

3.根据权利要求1所述的光探测器，其特征在于，所述锗吸收层的横截面为三角形或梯形，较大面积的所述锗吸收层底部与所述掺杂部的顶部接触连接。

4.根据权利要求2所述的光探测器，其特征在于，所述P型掺杂区自所述厚波导区延伸至所述第二薄波导区；

和/或，所述P型电荷区自所述厚波导区延伸至所述第二薄波导区。

5.根据权利要求2所述的光探测器，其特征在于，所述脊波导还包括渐变部，所述渐变部包括第一渐变波导区、第二渐变波导区和第三渐变波导区；

所述第一渐变波导区的一端连接所述连接部、另一端连接所述第一薄波导区，用于实现所述连接部到所述第一薄波导区的宽度延伸渐变；

所述第二渐变波导区的一端连接所述连接部、另一端连接所述第二薄波导区，用于实现所述连接部到所述第二薄波导区的宽度延伸渐变；

所述第三渐变波导区的一端连接所述连接部、另一端连接所述厚波导区，用于实现所述连接部到所述厚波导区的宽度延伸渐变。

6.根据权利要求1所述的光探测器，其特征在于，所述第一电极为单层结构或多层结构；

和/或，所述第二电极为单层结构或多层结构。

7.根据权利要求1所述的光探测器，其特征在于，所述光耦合器为光栅耦合器或端面耦合器；

和/或，所述P型掺杂区与所述N型掺杂区之间存在间隔且轴对称部在所述掺杂部上。

8.根据权利要求2所述的光探测器，其特征在于，所述第一薄波导区的厚度为90nm，所述第二薄波导区的厚度为90nm，所述厚波导区的厚度为220nm。