[发明专利]基于3D Xpoint内存的数据处理方法、设备及可读存储介质在审
申请号: | 202110867922.2 | 申请日: | 2021-07-29 |
公开(公告)号: | CN113590196A | 公开(公告)日: | 2021-11-02 |
发明(设计)人: | 赖振楠 | 申请(专利权)人: | 深圳宏芯宇电子股份有限公司 |
主分类号: | G06F9/30 | 分类号: | G06F9/30 |
代理公司: | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 | 代理人: | 陆军 |
地址: | 518000 广东省深圳市福田区梅林街道梅都社区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 xpoint 内存 数据处理 方法 设备 可读 存储 介质 | ||
本发明提供了一种基于3D Xpoint内存的数据处理方法、设备及计算机可读存储介质,所述方法包括:主处理器单元从所述3D Xpoint内存的第一存储区获取第一指令并执行,所述第一指令用于使主处理器单元将预设数据写入到所述3D Xpoint内存的第二存储区;协处理器单元通过总线映射器从3D Xpoint内存的第二存储区获取所述预设数据,以及通过总线映射器从3D Xpoint内存的第四存储区获取第二指令并执行,所述第二指令用于使协处理器单元对预设数据进行逻辑运算,并将逻辑运算结果通过总线映射器写入到3D Xpoint内存的第三存储区。本发明可使得协处理器单元的数据处理过程独立于主处理器单元,从而可最大程度发挥主处理器单元和协处理器单元的性能。
技术领域
本发明涉及计算机数据处理领域,更具体地说,涉及一种基于3D Xpoint内存的数据处理方法、设备及可读存储介质。
背景技术
傲腾(Optane)内存,即3D Xpoint内存,是美国英特尔公司推出的基于3D Xpoint存储介质的内存。不同于DRAM采用MOSFET-电容作为存储单元,也不同于闪存使用浮栅晶体管作为存储单元,3D Xpoint存储介质是一种全新的存储介质,其使用可变电阻材料作为存储单元,并通过可堆叠的交叉网络访问这些存储单元。
3D XPoint内存作为一种SCM(存储级内存),相比DRAM内存,具备数据持久保存、断电不会丢失的特性;相比传统SSD的NAND Flash,不但读写速度更快,而且还支持字节级访问(因为NAND Flash要求必须按照Page读写,按照几百个Page的Block擦除)。将3D Xpoint内存应用于计算机系统,可在一定程度上改善计算机系统的性能。
在某些计算机系统中,为提高程序执行效率,通常采用协处理器来协助主处理器,对主处理器无法执行或执行效率低下的部分程序进行处理。然而,在该类计算机系统中,协处理器的输出处理由主处理器控制执行,导致无法最大程度发挥主处理器和协处理器的性能。
发明内容
本发明要解决的技术问题在于,针对上述主处理器和协处理器协同的计算机系统中,无法充分发挥主处理器和协处理器性能的问题,提供一种3D Xpoint内存的数据处理方法、设备及存储介质。
本发明解决上述技术问题的技术方案是,提供一种基于3D Xpoint内存的数据处理方法,所述方法包括:
主处理器单元从所述3D Xpoint内存的第一存储区获取第一指令并执行,所述第一指令用于使所述主处理器单元将预设数据写入到所述3D Xpoint内存的第二存储区;
协处理器单元通过总线映射器从所述3D Xpoint内存的第二存储区获取所述预设数据,以及通过所述总线映射器从所述3D Xpoint内存的第四存储区获取第二指令并执行,所述第二指令用于使所述协处理器单元对所述预设数据进行逻辑运算,并将逻辑运算结果通过所述总线映射器写入到所述3D Xpoint内存的第三存储区。
作为本发明的进一步改进,所述方法还包括:
所述主处理器单元从所述3D Xpoint内存的第一存储区获取第三指令并执行,所述第三指令用于使所述主处理器单元读取所述3D Xpoint内存的第三存储区的逻辑运算结果。
作为本发明的进一步改进,所述预设数据为所述主处理器单元从输入装置或网络设备获取的外部输入数据;
所述方法还包括:所述主处理器单元从所述3D Xpoint内存的第一存储区获取第四指令并执行,所述第四指令用于使所述主处理器单元通过输出装置或网络设备输出所述逻辑运算结果。
作为本发明的进一步改进,所述方法还包括:
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