[发明专利]存储器件及存储器件的制造方法

权利要求书

1.一种存储器件，具备：

半导体基板；

电路，其设置在所述半导体基板的第1面上，包括第1接触部；

氧化铝层，其在与所述第1面垂直的第1方向上设置在所述半导体基板的上方；

存储单元，其包括设置在所述氧化铝层内的电容器；

第1导电层，其在所述第1方向上设置在所述半导体基板与所述氧化铝层之间，与所述存储单元电连接；

第1绝缘层，其在所述第1方向上设置在所述第1导电层与所述半导体基板之间；

第2绝缘层，其在与所述第1面平行的第2方向上与所述氧化铝层相邻，在所述第1方向上设置在所述半导体基板的上方；以及

第2接触部，其设置在所述第2绝缘层内，在所述第1方向上设置在所述第1接触部的上方，将所述存储单元电连接于所述第1接触部。

2.根据权利要求1所述的存储器件，还具备：

字线，其在所述第1方向上设置在所述氧化铝层的上方，与所述存储单元电连接；和

位线，其在所述第1方向上设置在所述氧化铝层的上方，与所述存储单元连接，

所述存储单元经由所述字线和所述位线中的一方与所述第2接触部电连接。

3.根据权利要求1或者2所述的存储器件，

所述电容器在所述氧化铝层内沿着所述第1方向延伸。

4.根据权利要求1所述的存储器件，

所述存储单元还包括在所述第1方向上设置在所述氧化铝层的上方的单元晶体管，所述单元晶体管包括氧化物半导体层。

5.根据权利要求1所述的存储器件，

所述第1绝缘层的材料和所述第2绝缘层的材料与氧化铝不同。

6.一种存储器件的制造方法，包括：

在半导体基板的第1面上形成包括第1接触部的半导体电路；

在与所述第1面垂直的第1方向上的所述半导体电路的上方形成第1绝缘层；

在所述第1方向上的所述第1绝缘层的上方形成第1导电层；

在所述第1方向上的所述第1导电层的上方形成铝层；

通过将所述第1导电层用于阳极的所述铝层的阳极氧化，形成含孔的氧化铝层；

在所述孔内形成与所述第1导电层电连接的电容器；

在所述第1方向上的所述第1接触部的上方，在所述氧化铝层内形成开口区域；

在所述开口区域内形成第2绝缘层；以及

在所述第2绝缘层内形成与所述第1接触部连接的第2接触部。

7.根据权利要求6所述的存储器件的制造方法，还包括：

在形成所述铝层之前，在所述第1导电层上形成第3导电层；和

将通过所述阳极氧化形成在所述第3导电层上的化合物除去。

8.根据权利要求6或者7所述的存储器件的制造方法，还包括：

使用所述第1接触部和所述电容器，进行用于形成所述第2接触部的位置对准。

9.根据权利要求6所述的存储器件的制造方法，还包括：

在所述第1方向上的所述电容器的上方形成与所述电容器连接且包括氧化物半导体层的晶体管。

10.根据权利要求6所述的存储器件的制造方法，还包括：

在所述第1方向上，在所述氧化铝层的上方形成与所述第2接触部连接的第2导电层。