[发明专利]一种利用Sn纳米线作为模板引导生长CdS分支结构及其催化生长方法和应用

权利要求书

1.一种利用Sn纳米线作为模板引导生长CdS分支结构的催化生长方法，其特征在于，包括如下具体步骤：

S1. 将CdS固体粉末和SnO₂粉末研磨并混合均匀，得到前驱体混合粉末；所述的CdS固体粉末和SnO₂粉末的质量比为（5~20）:1；

S2. 将云母衬底分别用丙酮、乙醇、去离子水各超声清洗，随后用氮气枪吹干，得到预处理的云母片衬底；

S3. 将步骤1中的前驱体混合粉末倒入瓷舟中，置于管式炉的中心加热温区位置，将预处理的云母片衬底置于距中心加热温区11~12cm处的下游沉积区的瓷舟上，将瓷舟均置于石英管内，通入氢气和氩气的混合气体，以速率为20~40sccm，将石英管内的空气排净后，以速率为40~100℃/min在850~1150℃反应20~120min，加热过程中气流速率保持为20~40sccm，在预处理的云母片衬底上沉积形成Sn纳米线，反应结束后自然降至室温，在石英管内壁和云母衬底上得到Sn掺杂CdS分支结构；排气的速率为20~40sccm，排气的时间为1~2h；所述Sn掺杂CdS分支结构为叶状分支结构、锥形分支结构或含有Sn金属颗粒的分支结构；所述Sn掺杂CdS分支结构的直径尺寸为300 nm~5 μm。

2.根据权利要求1所述的利用Sn纳米线作为模板引导生长CdS分支结构的催化生长方法，其特征在于，步骤S2中所述的清洗的时间为10~20min。

3.根据权利要求1所述的利用Sn纳米线作为模板引导生长CdS分支结构的催化生长方法，其特征在于，步骤S3中所述氢气和氩气的体积比为（5~12）:（88~95）。

4.一种Sn掺杂CdS分支结构，其特征在于，所述Sn掺杂CdS分支结构是由权利要求1-3任一项所述的方法制备得到的。

5.权利要求4所述的Sn掺杂CdS分支结构在光波导或电学输运领域中的应用。