[发明专利]显示面板及显示装置在审
申请号: | 202110872145.0 | 申请日: | 2021-07-30 |
公开(公告)号: | CN113611726A | 公开(公告)日: | 2021-11-05 |
发明(设计)人: | 张毅;杨慧娟;刘庭良;廖茂颖;舒晓青;王予 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 李迎亚;姜春咸 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种显示面板,具有显示区和围绕所述显示区的非显示区,所述显示区包括屏下摄像头区和非屏下摄像头区,其特征在于,所述显示面板包括:基底、位于所述基底上设置于所述屏下摄像头区的第一发光器件、位于所述基底上且设置于所述非屏下摄像头区的第二发光器件、位于所述基底上的第一电压信号线和第二电压信号线;
所述第一发光器件的阴极与所述第一电压信号线电连接;
所述第二发光器件的阴极与所述第二电压信号线电连接,
所述第一电压信号线和所述第二电压信号线的电压信号不同。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一电压信号线的电压信号的电压绝对值大于所述第二电压信号线的电压信号的电压绝对值。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:第一公共阴极和第二公共阴极;
所述第一发光器件的阴极与所述第一公共阴极电连接,且所述第一公共阴极与所述第一电压信号线搭接;
所述第二发光器件的阴极与所述第二公共阴极电连接,且所述第二公共阴极与所述第二电压信号线搭接。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一发光器件的阴极与所述第一公共阴极为一体成型结构;
所述第二发光器件的阴极与所述第二公共阴极为一体成型结构。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:位于所述基底上且设置于所述屏下摄像头区的第一像素电路、及位于所述基底上且设置于所述非屏下摄像头区的第二像素电路;所述第一像素电路包括:第一薄膜晶体管;所述第二像素电路包括:第二薄膜晶体管;
所述第一发光器件的阳极与所述第一薄膜晶体管的漏极电连接;
所述第二发光器件的阳极与所述第二薄膜晶体管的漏极电连接。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:位于所述基底上的第一导电层;
所述第一导电层包括:所述第一薄膜晶体管的栅极、所述第二薄膜晶体管的栅极、所述第一电压信号线和所述第二电压信号线。
7.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:位于所述基底上的第二导电层;
所述第二导电层包括:所述第一薄膜晶体管的源极和漏极、所述第二薄膜晶体管的源极和漏极、所述第一电压信号线和所述第二电压信号线。
8.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:位于所述基底上沿着背离所述基底方向依次绝缘设置的第三导电层和第四导电层;
所述第一电压信号线包括:第一子电压信号线和第二子电压信号线;
所述第二电压信号线包括:第三子电压信号线和第四子电压信号线;
所述第三导电层包括:所述第一薄膜晶体管的栅极、所述第一薄膜晶体管的栅极、所述第一子电压信号线和所述第三子电压信号线;
所述第四导电层包括:所述第一薄膜晶体管的源极和漏极、所述第二薄膜晶体管的源极和漏极、所述第二子电压信号线、所述第四子电压信号线。
9.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:位于所述基底上且由所述屏下摄像头区延伸至所述非屏下摄像头区的多条栅线和多条数据线;
所述第三导电层还包括:所述栅线;
所述第四导电层还包括:所述数据线。
10.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一电压信号线和所述第二电压信号线均包括VSS信号线。
11.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括如权利要求1-10任一项所述的显示面板。
12.根据权利要求11所述的显示装置,其特征在于,所述显示装置还包括摄像头;
所述摄像头位于所述第一发光器件靠近所述基底的一侧。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的