[发明专利]等离子体处理装置及其内壁组件

权利要求书

1.一种用于等离子体处理装置的内壁组件，其特征在于，包含：

筒状部，其围成一个处理空间，所述处理空间内用于形成等离子体环境，所述筒状部的内侧壁设有若干个弧形沟槽，所述弧形沟槽由筒状部的内侧壁的上方向下延伸。

2.如权利要求1所述的内壁组件，其特征在于，所述筒状部的内侧壁与竖直面的角度为0°～45°。

3.如权利要求1所述的内壁组件，其特征在于，所述相邻弧形沟槽之间的间距从顶部至底部逐渐递减。

4.如权利要求1所述的内壁组件，其特征在于，所述弧形沟槽中心线的切线与竖直面之间的角度为5°～45°。

5.如权利要求1所述的内壁组件，其特征在于，所述弧形沟槽的深度为1mm～10mm。

6.如权利要求1所述的内壁组件，其特征在于，所述弧形沟槽的宽度为1mm～10mm。

7.如权利要求3所述的内壁组件，其特征在于，相邻弧形沟槽之间的间距为1mm～10mm。

8.一种等离子体处理装置，其特征在于，包含：

反应腔；

如权利要求1-7中任意一项所述的内壁组件，其设置在所述反应腔内，所述内壁组件内用于形成等离子体环境，所述内壁组件用于保护所述反应腔的内侧壁；

设置在反应腔底部的排气装置。

9.如权利要求8所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述内壁组件接地。

10.如权利要求8所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述等离子体处理装置是电感耦合等离子体刻蚀设备，所述内壁组件为设置在所述反应腔内的内衬。

11.如权利要求8所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述等离子体处理装置是电容耦合等离子体刻蚀设备，所述内壁组件为设置在所述反应腔内的移动环。

12.如权利要求8所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述等离子体处理装置还包含设置在所述反应腔内的等离子体约束环，所述等离子体约束环具有多个排气通道，所述排气通道排出的气流与水平面的夹角为5°～45°。

13.如权利要求12所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述内壁组件的弧形沟槽排出的气流方向、等离子体约束环的排气通道排出的气流方向与排气装置的转子叶片的方向相同，用于使来自于所述弧形结构中的气流进入等离子体约束环的排气通道内，之后再通过排气装置输出。