[发明专利]致密性的表征方法

权利要求书

1.一种致密性的表征方法，其特征在于，所述方法包括：

提供具有预设厚度范围的薄膜样品和对照薄膜样品，其中，所述薄膜样品和对照薄膜样品分别包括待检测的膜层和对照待检测的膜层；

利用预设条件分别对所述薄膜样品和所述对照薄膜样品进行刻蚀；在进行刻蚀的过程中，获取多幅所述薄膜样品的电子能量损失图谱和多幅所述对照薄膜样品的电子能量损失图谱；

利用多幅所述薄膜样品的电子能量损失图谱和多幅所述对照薄膜样品的电子能量损失图谱，确定所述薄膜样品的致密度和所述对照薄膜样品的致密度的关系。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用多幅所述薄膜样品的电子能量损失图谱和多幅所述对照薄膜样品的电子能量损失图谱确定所述薄膜样品的致密度和所述对照薄膜样品的致密度的关系，包括：

利用多幅所述薄膜样品的电子能量损失图谱，获取所述薄膜样品的至少一个元素信号随时间的变化量；

利用多幅所述对照薄膜样品的电子能量损失图谱，获取所述对照薄膜样品的至少一个元素信号随时间的变化量；

基于所述薄膜样品的至少一个元素信号随时间的变化量和所述对照薄膜样品的至少一个元素信号随时间的变化量，确定所述薄膜样品的致密度和所述对照薄膜样品的致密度的关系。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，当所述薄膜样品包括氮化硅膜层时，所述至少一个元素信号包括氮信号。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，当所述氮化硅膜层为三维存储器的沟道结构中的氮化硅膜层时，所述至少一个元素信号还包括氧信号；所述沟道结构包括层叠设置的氧化硅膜层、氮化硅膜层、氧化硅膜层和多晶硅膜层。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，当所述薄膜样品为碳硬掩膜层时，所述至少一个元素信号包括碳信号。

6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述基于所述薄膜样品的至少一个元素信号随时间的变化量和所述对照薄膜样品的至少一个元素信号随时间的变化量，确定所述薄膜样品的致密度和所述对照薄膜样品的致密度的关系，包括：

基于所述薄膜样品的至少一个元素信号随时间的变化量和所述对照薄膜样品的至少一个元素信号随时间的变化量，确定所述薄膜样品和所述对照薄膜样品的被刻蚀速率关系；

基于所述薄膜样品和所述对照薄膜样品的被刻蚀速率关系，确定所述薄膜样品和所述对照薄膜样品的致密度的关系。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述薄膜样品的至少一个元素信号随时间的变化量和所述对照薄膜样品的至少一个元素信号随时间的变化量均为归一化曲线；

所述基于所述薄膜样品的至少一个元素信号随时间的变化量和所述对照薄膜样品的至少一个元素信号随时间的变化量，确定所述薄膜样品和所述对照薄膜样品的被刻蚀速率关系，包括：

基于所述薄膜样品的至少一个元素信号随时间的变化量对应的归一化曲线的斜率和所述对照薄膜样品的至少一个元素信号随时间的变化量对应的归一化曲线的斜率，确定所述薄膜样品和所述对照薄膜样品的被刻蚀速率关系。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用多幅所述薄膜样品的电子能量损失图谱和多幅所述对照薄膜样品的电子能量损失图谱，确定所述薄膜样品的致密度和所述对照薄膜样品的致密度关系，包括：

利用多幅所述薄膜样品的电子能量损失图谱，获取所述薄膜样品的厚度随时间的变化量；

利用多幅所述对照薄膜样品的电子能量损失图谱，获取所述对照薄膜样品的厚度随时间的变化量；

基于所述薄膜样品的厚度随时间的变化量和所述对照薄膜样品的厚度随时间的变化量，确定所述薄膜样品的致密度和所述对照薄膜样品的致密度的关系。