[发明专利]一种沟槽形貌监控方法、结构器件

权利要求书

1.一种沟槽形貌监控方法，其特征在于，步骤包括：

在衬底硅片上制作沟槽并在所述沟槽表面氧化生长一层氧化层；

再在所述氧化层表面制作第一测试电极；

在所述第一测试电极与预制在所述衬底远离所述沟槽一侧表面的第二测试电极之间进行电压测试，以测得所述氧化层的击穿电压值；

将测得的所述氧化层的击穿电压值与所述氧化层的本征击穿电压值进行比对，以判断所述氧化层的厚度是否均匀，进而可判定与所述氧化层紧贴设置的所述沟槽的形貌是否符合标准。

2.根据权利要求1所述的一种沟槽形貌监控方法，其特征在于，所述氧化层厚度为50-5000A；且当测得的所述氧化层的击穿电压值不小于其本征击穿电压值的80-90％时，表示所述氧化层的厚度均匀。

3.根据权利要求1或2所述的一种沟槽形貌监控方法，其特征在于，所述在衬底硅片上制作沟槽并在所述沟槽表面氧化生长一层氧化层，步骤包括：

在所述衬底正面沉积一单层或多层的掩膜层，并使所述掩膜层覆盖所述衬底全面设置，且所述掩膜层厚度为1000-10000A；

在所述掩膜层远离所述衬底一侧涂覆一层与所述掩膜层同面积的胶层一；

在所述胶层一中依次进行曝光、显影，以获得光刻图形；

基于所述光刻图形在所述衬底上进行刻蚀获得若干所述沟槽；

再在所述沟槽内表面氧化生长一层所述氧化层；

其中，所述沟槽宽度为0.2-10um，且其深度为0.2-400um。

4.根据权利要求3所述的一种沟槽形貌监控方法，其特征在于，在刻蚀所述沟槽之前，还包括：

先在所述胶层一上沿其厚度方向进行刻蚀，以使所述胶层一中所述沟槽所对应的位置区域被刻蚀掉以获得所述光刻图形；

基于所述胶层一中的光刻位置，在所述掩膜层上对所述沟槽所在位置区域并沿所述掩膜层厚度进行刻蚀至所述衬底上表面上；

再去除所述掩膜层上的所有所述胶层一。

5.根据权利要求4所述的一种沟槽形貌监控方法，其特征在于，对所述掩膜层中所述沟槽所在位置区域的刻蚀是采用干法刻蚀工艺；去除剩余所有所述胶层一是采用干法去除工艺或湿法去除工艺。

6.根据权利要求4或5所述的一种沟槽形貌监控方法，其特征在于，所述再在所述氧化层表面制作第一测试电极的步骤包括：

在所述掩膜层上沉积一层厚度为500-60000A且由多晶硅或金属薄膜形成的电极层，并使所述电极层填充至具有所述氧化层的所述沟槽内；

在所述电极层上涂覆一与所述电极层同面积的胶层二，在对所述胶层二依次进行曝光、显影，以定义电极图形；

再基于所述电极图形，在所述电极层上进行刻蚀，获得覆盖具有所述氧化层的所述沟槽所在位置的所述第一测试电极。

7.根据权利要求6所述的一种沟槽形貌监控方法，其特征在于，基于所述电极图形在所述电极层刻蚀之前，还包括：

对所述胶层二进行光刻，以去除具有所述氧化层的所述沟槽所在位置之外的其它区域；

沿所述胶层二光刻的位置，再在所述电极层上进行刻蚀，以保留所述氧化层所在位置对应的所述第一测试电极的待测试区域；

去除剩余所有所述胶层二。

8.根据权利要求7所述的一种沟槽形貌监控方法，其特征在于，对所述电极层中的非所述沟槽所在位置区域的刻蚀是采用干法刻蚀工艺或者湿法腐蚀工艺；去除剩余所有所述胶层二是采用干法去除工艺或湿法去除工艺。

9.一种采用如权利要求1-8任一项所述的沟槽监控方法获得的结构器件，其特征在于，监控方法至少包括：

所述衬底；以及

被定义在所述衬底内的所述沟槽；

其中，在所述沟槽内并紧贴所述沟槽内壁设置有所述氧化层；

在所述衬底远离所述沟槽一侧并配设有所述第一测试电极，所述第一测试电极充满具有所述氧化层的所述沟槽并覆盖所述衬底设置。

10.根据权利要求9所述的一种结构器件，其特征在于，还包括：在所述衬底和所述第一测试电极之间还配置有一层介质掩膜层；

所述掩膜层被所述沟槽贯穿设置，且所述氧化层的上端面与所述掩膜层平齐设置；

其中，所述掩膜层厚度1000A-10000A；

所述沟槽宽度为0.2-10um，且其深度为0.2-400um；

所述氧化层厚度为50-5000A；

所述第一测试电极厚度为500-60000A。