[发明专利]一种具有低N面串联接触电阻的半导体激光器

权利要求书

1.一种具有低N面串联接触电阻的半导体激光器，其特征在于，包括有从上至下依次设置的：P面电极(1)，P型欧姆接触层(2)，P型限制层(3)，上波导层(4)，量子阱(5)，下波导层(6)，N型限制层(7)，N型缓冲层(8)，N型衬底(9)，N型重掺杂层(10)，N面电极(11)。

2.根据权利要求书1所述的一种具有低N面串联接触电阻的半导体激光器，其特征在于，所述的N型衬底(9)厚度为90-180μm。

3.根据权利要求书1所述的一种具有低N面串联接触电阻的半导体激光器，其特征在于，所述的N型重掺杂层(10)在N型衬底(9)与N面电极(11)的接触面上，其厚度范围为0.02～5μm，掺杂浓度范围10¹⁸～10²⁰cm^-3，N型重掺杂层(10)的掺杂浓度随着远离接触面而降低，N型重掺杂层(10)高于N型衬底(9)。