[发明专利]一种导电膜及其制备方法

权利要求书

1.一种导电膜的制备工艺，包括如下步骤：

1)通过蒸镀镀膜或磁控溅射镀膜的方式在高分子薄膜层两侧涂覆预镀层；

2)通过电镀的方式在所述预镀层外侧涂覆金属层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述电镀采用水平电镀，其中工艺参数为：电镀液pH值为1-2，电流密度为0.5-3A/dm²，烘干温度：50℃-80℃，膜运转速度：0.5-3m/min。

3.如权利要求1-2任一项所述的方法，其特征在于：所述步骤2)具体包括以下步骤：

S1、施镀电镀：控制浸酸槽内硫酸浓度在100g/L左右，硫酸铜浓度在100g/L左右，盐酸浓度在50ppm左右，温度在20～30℃之间，电镀电流为0.5A/dm²～3A/dm²之间，1-4分钟后出板；

S2、水洗；

S3、有机/无机抗氧化处理；

S4、干燥处理：温度50-80℃；

S5、重复S1-S4直至达到产品要求。

4.如权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于：所述蒸镀镀膜采用电阻加热，其中电阻加热工艺参数为：蒸发舟式的参数为送丝速度400-1000mm/min，冷却系统温度-30-20℃，膜运转速度5-15m/s或坩埚式的参数为蒸发速度400-1000mm/min，冷却系统温度-30-20℃，膜运转速度5-15m/s，蒸发原料3-10％比重的高沸点金属。

5.如权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于：所述磁控溅射镀膜工艺参数为：功率≤150kW,基片传动速度≤15m/min，通氩速度20-30L/min，离子源电压200-250V。

6.权利要求1-5任一项所述的导电膜，其特征在于：所述导电膜表面方阻为10-10000mΩ/□,拉伸强度为200-450Mpa，断裂伸长率为75-150％，弹性模量为3500-7000，所述预镀层与所述金属层的结合力大于4N/15mm，所述高分子薄膜层与所述预镀层的结合力为4-6N/15mm,水蒸气透过率小于0.5g/(m².24h)，氧气透过率小于0.01cm³/(m².24h)。

7.如权利要求6所述的导电膜，其特征在于：所述高分子薄膜层为双向拉伸聚丙烯薄膜(OPP)、流延聚丙烯薄膜(CPP)、聚对苯二甲酸乙二酯薄膜(PET)、聚酰亚胺薄膜(PI)或聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜(PEN)。

8.如权利要求1或2所述的导电膜，其特征在于：所述预镀层厚度为10-3000nm。

9.如权利要求1或2所述的导电膜，其特征在于：所述金属层厚度为100-6000nm。

10.如权利要求1或2所述的导电膜，其特征在于：所述预镀层为金属膜层。