[发明专利]光纤及光纤预制棒的制造方法

权利要求书

1.双包层光纤，其特征在于，所述光纤由光纤预制棒拉制而成，所述光纤包括芯层和依次包覆在所述芯层外的外包层和涂覆层，所述芯层为通过VAD法获得的掺Cl石英玻璃，所述芯层的折射率高于所述外包层的折射率，所述外包层为通过OVD法沉积在所述芯层外的纯石英玻璃，所述芯层的氯掺杂浓度为1.83wt.%~2wt.%，所述外包层的氯浓度低于0.5 wt.%；

光纤预制棒的制造方法为：在种棒上用VAD法沉积芯层得到纯二氧化硅松散体，所述松散体的密度为0.2~0.8g/cm³；将所述松散体置于玻璃化炉中在1000~1300℃温度下脱水掺Cl，脱水掺Cl时间为0.5~6小时；将所述松散体在1400~1600℃温度下玻璃化得到透明芯棒，玻璃化的时间为0.5~8小时；将所述透明芯棒安装到延伸设备上进行延伸，在所述透明芯棒上用OVD法沉积第一外包层；将带有第一外包层的所述透明芯棒置于玻璃化炉中脱水和玻璃化得到透明预制棒；所述脱水掺Cl采用SiCl₄作为脱水剂，脱水掺Cl时向玻璃化炉中送入SiCl₄和He气体。

2.根据权利要求1所述的双包层光纤，所述芯层对外包层的数值孔径为0.04~0.07，所述外包层对涂覆层的数值孔径大于或等于0.46。

3.根据权利要求1或2所述的双包层光纤，所述外包层的氯浓度低于0.1 wt.%。

4.根据权利要求3所述的双包层光纤，所述外包层包括第一外包层和第二外包层。

5.根据权利要求1或2或4所述的双包层光纤，所述涂覆层包括内涂覆层和在所述内涂覆层之外的外涂覆层，所述外涂覆层的折射率高于所述内涂覆层的折射率。

6.根据权利要求1所述的双包层光纤，所述SiCl₄和He气体中的SiCl₄和He的体积流量比大于或等于0.15。

7.根据权利要求1所述的双包层光纤，将所述透明预制棒安装到延伸设备上进行延伸，在所述透明预制棒上用OVD法沉积第二外包层；将带有第二外包层的所述透明预制棒置于玻璃化炉中脱水和玻璃化得到光纤预制棒。

8.根据权利要求1所述的双包层光纤，在种棒上用VAD法得到的所述松散体的密度为0.3-0.5g/cm³。