[发明专利]半导体器件及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：

半导体衬底；

设置在所述半导体衬底内的N型阱区；

设置在所述N型阱区背离所述半导体衬底表面内的P型阱区；

所述P型阱区背离所述N型阱区的一侧具有多个器件模块，所述器件模块包括至少一个MOS单元；

相邻所述器件模块之间具有深沟槽隔离结构；

同一所述器件模块中，如果具有多个MOS单元，相邻所述MOS单元之间具有浅沟槽隔离结构；

其中，所述深沟槽隔离结构的底部位于所述N型阱区内，所述浅沟槽隔离结构的底部位于所述P型阱区内。

2.根据权利要求1所述半导体器件，其特征在于，具有逻辑区和存储区，所述逻辑区和所述存储区之间具有深沟槽隔离结构；

所述逻辑区和所述存储区中均具有多个所述器件模块。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，在所述逻辑区中，所述器件模块包括：

设置在所述P型阱区背离所述N型阱区内的体硅；

设置在所述体硅背离所述P型阱区表面的埋氧化层；

设置在所述埋氧化层背离所述体硅表面的绝缘体上硅；

设置在所述绝缘体上硅背离所述埋氧化层表面的MOS单元。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述逻辑区中具有与所述P型阱区接触的第一接触点和与所述N型阱区接触的第二接触点；

相邻所述第一接触点和所述第二接触点之间具有所述深沟槽隔离结构。

5.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，在所述存储区中，所述器件模块包括：

设置在所述P型阱区背离所述N型阱区表面的埋氧化层；

设置在所述埋氧化层背离所述P型阱区表面的绝缘体上硅；

设置在所述绝缘体上硅背离所述埋氧化层表面的MOS单元。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述存储区中具有第三接触点，所述第三接触点与所述N型阱区接触。

7.根据权利要求1-6任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述MOS单元为NMOS或PMOS。

8.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供一半导体衬底；

在所述半导体衬底内设置N型阱区；

在所述N型阱区背离所述半导体衬底的表面内设置P型阱区；

在所述P型阱区背离所述N型阱区的一侧设置多个器件模块，所述器件模块包括至少一个MOS单元；

在相邻所述器件模块之间设置深沟槽隔离结构；

同一所述器件模块中，如果具有多个MOS单元，在相邻所述MOS单元之间设置浅沟槽隔离结构；

其中，所述深沟槽隔离结构的底部位于所述N型阱区内，所述浅沟槽隔离结构的底部位于所述P型阱区内。