[发明专利]一种抗干扰性强的半导体制冷器及其控制方法

权利要求书

1.一种抗干扰性强的半导体制冷器，其特征在于，包括控制电路（1）、温度采集电路（2）、半导体制冷片驱动电路（3）、半导体制冷片（4）；所述控制电路（1）包括微处理器（11）、LCD接口电路（12），所述微处理器（11）通过串口与上位机（5）相连接，所述微处理器（11）通过LCD接口电路（12）与LCD显示屏（6）相连接；所述温度采集电路（2）包括若干个温度传感器（21）、抗干扰测温电路（22），每个所述温度传感器（21）通过抗干扰测温电路（22）与微处理器（11）进行数据传输，所述外接电源（7）与半导体制冷片驱动电路（3）相连接，所述半导体制冷片驱动电路（3）与微处理器（11）相连接；所述半导体制冷片驱动电路（3）包括第一电压转换单元（31）、第二电压转换单元（32）、第一驱动单元（33）、第二驱动单元（34），所述第一电压转换单元（31）的输入端与外接电源（7）相连接和输出端所述半导体制冷片（4）的正极相连接，所述第二电压转换单元（32）的输入端与外接电源（7）相连接和输出端所述半导体制冷片（4）的负极相连接；所述第一驱动单元（33）的一端接地和另一端与所述半导体制冷片（4）的负极相连接，所述第二驱动单元（34）的一端接地和另一端与所述半导体制冷片（4）的正极相连接。

2.根据权利要求1所述的抗干扰性强的半导体制冷器，其特征在于，所述抗干扰测温电路（22）包括滤波及差分放大电路（221）、隔离放大电路（222）、转换电路（223），所述温度传感器（21）、滤波及差分放大电路（221）、隔离放大电路（222）、转换电路（223）、微处理器（11）依次连接。

3.根据权利要求3所述的抗干扰性强的半导体制冷器，其特征在于，所述滤波及差分放大电路（221）包括低通滤波电路（2211）、差分放大电路（2212），所述低通滤波电路（2211）、差分放大电路（2212）串联；所述低通滤波电路（2211）由两个RC低通滤波电路（22111）并联组成；所述RC低通滤波电路（22111）由两个电容一个电阻组成；所述差分放大电路（2212）由三个查分放大器（22121）组成，并且所述查分放大器（22121）的输入信号之间设置有多个电容；所述差分放大电路（2212）还包括若干个电源输入电路（2213），每个所述电源输入电路（2213）的电源输入脚设置有RC滤波电路（22131）。

4.根据权利要求3所述的抗干扰性强的半导体制冷器，其特征在于，所述隔离放大电路（222）通过线性光耦进行隔离传输。

5.根据权利要求1所述的抗干扰性强的半导体制冷器，其特征在于，所述第一电压转换单元（31）为BUCK电路，所述第一电压转换单元（31）包括第一电压转换芯片（311）、第一电容（312）、第二电容（313）、第三电容（314）、第一电感（315）、第一电阻（316）及第二电阻（317）；所述第一电压转换芯片（311）的电压输入端接所述外接电源（7），所述第一电压转换芯片（311）的使能输入端接微处理器（11），所述第一电压转换芯片（311）的地端接地，所述第一电压转换芯片（311）的电压输出端经依次串接的所述第一电感（315）、所述第一电阻（316）及所述第二电阻（317）后接地，所述第一电压转换芯片（311）的自举输入端经串联的所述第一电容（312）后接所述第一电压转换芯片（311）的电压输出端，所述第一电压转换芯片（311）的反馈输入端接所述第一电阻（316）与所述第二电阻（317）的公共端；所述第二电容（313）的一端接地，所述第二电容（313）的另一端接所述第一电压转换芯片（311）的电压输入端，所述第三电容（314）的一端接地，所述第三电容（314）的另一端接所述第一电感（315）与所述第一电阻（316）的公共端；其中，所述第一电压转换芯片（311）的电压输入端为所述第一电压转换单元（31）的输入端，所述第一电感（315）与所述第一电阻（316）的公共端为所述第一电压转换单元（31）的输出端。