[发明专利]一种超低漂移的准静态电荷放大器

权利要求书

1.一种超低漂移的准静态电荷放大器，包括第一准静态电荷放大器和第二准静态电荷放大器，其特征在于：所述第一准静态电荷放大器和所述准静态电荷放大器分别连接输出推挽电路。

2.根据权利要求1所述的一种超低漂移的准静态电荷放大器，其特征在于：第一准静态电荷放大器中电荷信号从插座XS1的一脚引入，插座XS1的二脚接地，电荷信号经电阻R12与MOS对管V1的栅极相连，同时经第一RC网络与电荷放大器输出电压插座XS2的一脚相连。

3.根据权利要求2所述的一种超低漂移的准静态电荷放大器，其特征在于：第一RC网络由电阻R11、电阻R10、电容C2、电容C3、电容C4并联而成，其中电阻R11与开关SW3串联，电阻R10与开关SW4串联，电容C3与开关SW1串联，电容C4与开关SW2串联。

4.根据权利要求3所述的一种超低漂移的准静态电荷放大器，其特征在于：MOS对管V1的漏极经电阻R2与电位器RP1的一端相连，同时与运算放大器N1的反相端相连，MOS对管V2的的漏极经电阻R3与电位器RP1的另一端相连，同时与运算放大器N1的同相端相连，电位器RP1的中心抽头接负电源电压，电位器RP1用于调节电荷放大器处于复位状态时的输出零点。

5.根据权利要求4所述的一种超低漂移的准静态电荷放大器，其特征在于：运算放大器N1的的反相端与运算放大器N1的同相端之间并接二极管V3和二极管V4，二极管V3的正端与二极管V4的负端相接，二极管V3的负端与二极管V4的正端相接；

电阻C1与电容C1串联并接在运算放大器N1的反相端和运算放大器N1的同相端之间，防止运算放大器振荡；

MOS对管V1的源极和MOS对管V2的源极短接在一起，并经电阻R4与正电源电压相连，运算放大器N1的输出端经电阻R5送至二极管V5和二极管V6连接输出推挽电路。

6.根据权利要求5所述的一种超低漂移的准静态电荷放大器，其特征在于：所述输出推挽电路中二极管V5的负端和二极管V6的正端相连，并经电阻R5与运算放大器N1的输出端相连；

二极管V5的正端与电阻R6的一端相连，同时与三极管V7的基极相连，电阻R6的另一端与三极管V7的集电极短接并与正电源电压相连，二极管V6的负端与电阻R7的一端相连，同时与三极管V8的基极相连，电阻R7的另一端与三极管V8的集电极短接并与负电源电压相连。

7.根据权利要求6所述的一种超低漂移的准静态电荷放大器，其特征在于：三极管V7的发射极连接电阻R8的一端，三极管V8的发射极连接电阻R9的一端，电阻R8与电阻R9相连并与插座XS1的一脚相连，插座的XS1的二脚接地。

8.根据权利要求7所述的一种超低漂移的准静态电荷放大器，其特征在于：MOS对管V7的漏极经电阻R14与电位器RP2的一端相连，同时与运算放大器N2的反相端相连；

MOS对管V8的漏极经电阻R15与电位器RP2的另一端相连，同时与运算放大器N2的同相端相连，电位器RP2的中心抽头接负电源电压，该电位器用于调节运算放大器N2处于复位状态时的输出零点；

运算放大器N2的反相端与运算放大器N2的同相端之间并接二极管V9和二极管V10，二极管V9的正端与二极管V10的负端相接，二极管V9的负端与二极管V10的正端相接，电阻R13与电容C5串联并接在运算放大器N2的反相端和运算放大器N2同相端之间，防止运算放大器振荡；

标号为V17的MOS对管的源极和标号为V8的MOS对管的源极短接在一起，并经电阻R16与正电源电压相连；

电荷信号从插座XS3的一脚引入，插座XS3的二脚接地，电荷信号经电阻R18与标号为V7的MOS对管的栅极相连，同时经第二RC网络与电荷放大器输出电压OUT1相连，运算放大器N2的输出端经电阻R17与输出电压OUT1相连。