[发明专利]隔离器

说明书

实施方式的隔离器具有下部电极、第一绝缘层、第二绝缘层、上部电极和低介电常数部。所述第一绝缘层设置于所述下部电极上，在上部具有突部。所述第二绝缘层设置于所述突部上，从所述突部的正上方区域向侧方延伸。所述第二绝缘层的相对介电常数比所述第一绝缘层的相对介电常数高。所述上部电极与所述第二绝缘层的上表面接触。所述低介电常数部与所述突部的侧面以及所述第二绝缘层的下表面接触。所述低介电常数部的相对介电常数比所述第一绝缘层的相对介电常数低。

相关申请

本申请享受以日本专利申请2021-46018号(申请日：2021年3月19日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包括基础申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及隔离器。

背景技术

通过两个电极间的电介质耦合或电容耦合来发送或接收信号的隔离器，能够通过包含一组电极的单重结构来简化结构，提高信号的传输性能。但是，由于施加电压的大部分被施加于一组电极间，因此高电压下的电极的可靠性的提高成为课题。

发明内容

实施方式提供能够提高可靠性的隔离器。

实施方式的隔离器具有下部电极、第一绝缘层、第二绝缘层、上部电极和低介电常数部。所述第一绝缘层设置于所述下部电极上，在上部具有突部。所述第二绝缘层设置于所述突部上，从所述突部的正上方区域向侧方延伸。所述第二绝缘层的相对介电常数比所述第一绝缘层的相对介电常数高。所述上部电极与所述第二绝缘层的上表面接触。所述低介电常数部与所述突部的侧面以及所述第二绝缘层的下表面接触。所述低介电常数部的相对介电常数低于所述第一绝缘层的相对介电常数。

附图说明

图1是表示第一实施方式的隔离器的剖视图。

图2是表示下部电极和上部电极的俯视图。

图3是表示图1的区域A的放大剖视图。

图4的(a)～(c)是表示第一实施方式的隔离器的制造方法的示意图。

图5的(a)、(b)是表示第一实施方式的隔离器的制造方法的示意图。

图6是表示第一实施方式的变形例的隔离器的放大剖视图。

图7是表示第二实施方式的隔离器的放大剖视图。

图8的(a)、(b)是表示第二实施方式的隔离器的制造方法的示意图。

图9的(a)、(b)是表示第二实施方式的隔离器的制造方法的示意图。

图10是表示第二实施方式的变形例的隔离器的放大剖视图。

图11的(a)是表示第三实施方式的隔离器的放大剖视图，(b)是表示第三实施方式的第一变形例的隔离器的放大剖视图。

图12是表示第三实施方式的第二变形例的隔离器的放大剖视图。

图13的(a)～(c)是表示第三实施方式的第二变形例的隔离器的制造方法的示意图。

具体实施方式

以下，参照附图对各实施方式进行说明。

另外，附图是示意性的，各部分的厚度与宽度的关系、部分间的大小的比率等未必与现实相同。另外，即使在表示相同部分的情况下，也存在根据附图而彼此的尺寸、比率不同地进行表示的情况。此外，在本说明书和各图中，对与已出现的图中说明的要素相同的要素标注相同的附图标记并适当省略详细的说明。

(第一实施方式)

图1是表示本实施方式的隔离器的剖视图。

图2是表示下部电极和上部电极的俯视图。