[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

第一氮化物半导体层，具有第一面和第二面；

第一源极电极，设置于所述第一面；

第一漏极电极，设置于所述第一面；

第一栅极电极，设置于所述第一源极电极与所述第一漏极电极之间的所述第一面；

第二氮化物半导体层，设置于所述第二面，具有第三面和第四面，与所述第一氮化物半导体层相比带隙小，该第三面与所述第二面对置；以及

第一半导体器件，设置于所述第四面，具有为所述第四面以下的大小且与所述第四面对置的第五面，并包含与所述第二氮化物半导体层相比带隙小的第一半导体材料。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，还具备：

第一通孔，贯通所述第一氮化物半导体层及所述第二氮化物半导体层，与所述第一源极电极电连接；以及

第一导电层，设置于所述第四面与所述第五面之间，与所述第一通孔电连接。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

还具备第一基板，该第一基板具有导电性，设置于所述第四面与所述第一半导体器件之间。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

所述第一基板是掺杂有杂质的硅(Si)基板。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

还具备第二基板，该第二基板具有导电性，设置于所述第一源极电极的下方、所述第一漏极电极的下方以及所述第一栅极电极的下方，并与所述第一漏极电极电连接。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，还具备：

第二导电层，设置于所述第二基板与所述第一漏极电极之间；

第三导电层，设置于所述第二基板与所述第二导电层之间，与所述第二基板及所述第二导电层电连接，并包含金(Au)及锡(Sn)；以及

第三通孔，设置于所述第一漏极电极与所述第二导电层之间，将所述第一漏极电极与所述第二导电层电连接。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

还具备第二半导体器件，该第二半导体器件设置于所述第四面，具有为所述第四面以下的大小且与所述第四面对置的第六面，并包含与所述第二氮化物半导体层相比带隙小的第二半导体材料。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，

所述第二半导体器件包括向所述第一栅极电极输入规定的控制信号的控制电路。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，

所述控制电路具有：

电容器，具有第一端部和第二端部，该第一端部与所述第一栅极电极电连接；

二极管，具有：阳极，与所述第一栅极电极及所述第一端部电连接；和阴极，与所述第一源极电极电连接；以及

栅极驱动电路，与所述第二端部电连接。

10.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述第一半导体器件具有：

第二漏极电极，与所述第一导电层电连接；

第一导电型的第一半导体层，设置于所述第二漏极电极的上方；

第二导电型的第一半导体区域，设置于所述第一半导体层的上方；

第一导电型的第二半导体区域，设置于所述第一半导体区域的上方；

第二栅极电极，设置于所述第二半导体层的上方；以及

第二源极电极，设置于所述第二半导体区域的上方。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，

还具备第一基板，具有导电性，设置于所述第四面与所述第一半导体器件之间。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，

所述第一基板是掺杂有杂质的硅(Si)基板。