[发明专利]半导体装置

说明书

实施方式的半导体装置具有第一～第四电极、半导体部分、第一绝缘膜和第二绝缘膜。所述半导体部分具有第一～第三半导体层。第一导电型的所述第一半导体层设置于所述第一电极的上方，第二导电型的所述第二半导体层设置于所述第一半导体层的一部分的上方，第一导电型的所述第三半导体层设置于所述第二半导体层的上方。所述第二电极与所述第三半导体层接触，并与所述第二半导体层、所述第三半导体层及所述第二电极分离。所述第一绝缘膜覆盖所述第三电极。所述第四电极与所述第二电极连接，与所述第一半导体层及所述第三电极分离。所述第二绝缘膜设置于所述第四电极的侧面上，隔着空隙与所述第一半导体层对置，厚度随着朝向所述第一方向而变大。

相关申请

本申请享受以日本专利申请2021-43658号(申请日：2021年3月17日)为基础申请的优先权。本申请通过参考该基础申请包括基础申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及半导体装置。

背景技术

在例如纵型功率半导体中，有通过沟槽结构将单元微细化，而降低导通电阻的功率半导体。另外，已知有通过沟槽构造而在漂移层中设置场板电极，而提高导通时的耐压的技术。

发明内容

本发明的实施方式提供能够提高可靠性的半导体装置。

实施方式的半导体装置具有第一电极、半导体部分、第二电极、第三电极、第一绝缘膜、第四电极以及第二绝缘膜。所述半导体部分设置于所述第一电极的上方。所述半导体部分具有第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层。所述第一半导体层为第一导电型，设置于所述第一电极的上方。所述第二半导体层为第二导电型，设置于所述第一半导体层的一部分的上方。所述第三半导体层是第一导电型，设置于所述第二半导体层的至少一部分的上方。所述第二电极与所述第三半导体层接触。所述第三电极与所述第二半导体层、所述第三半导体层及所述第二电极分离。所述第一绝缘膜覆盖所述第三电极，并与所述第二半导体层及所述第三半导体层接触。所述第四电极在从所述第一电极朝向所述第二电极的第一方向上延伸设置。所述第四电极与所述第二电极连接，与所述第一半导体层和所述第三电极分离。所述第二绝缘膜设置于所述第四电极的侧面上，隔着空隙与所述第一半导体层对置。所述第二绝缘膜的厚度随着朝向所述第一方向而变大。

附图说明

图1是表示第一实施方式的半导体装置的俯视图。

图2是表示图1的区域A的放大俯视图。

图3是图2所示的B-B’线的剖视图。

图4的(a)、(b)是表示第一实施方式的半导体装置的制造方法的示意图。

图5是表示第一实施方式的半导体装置的制造方法的示意图。

图6是表示第二实施方式的半导体装置的放大剖视图。

图7是表示第二实施方式的半导体装置的制造方法的示意图。

图8是表示第二实施方式的变形例的半导体装置的制造方法的示意图。

具体实施方式

以下，参照附图对各实施方式进行说明。

另外，附图是示意性的，各部分的厚度与宽度的关系、部分间的大小的比率等未必与现实的相同。另外，即使在表示相同部分的情况下，也存在根据附图而彼此的尺寸、比率不同地进行表示的情况。并且，在本说明书和各图中，对与已出现的图中说明的要素相同的要素标注相同的附图标记并适当省略详细的说明。

(第一实施方式)

图1是表示本实施方式的半导体装置的俯视图。图2是表示图1的区域A的放大俯视图。图3是图2所示的B-B’线的剖视图。在图1～图3中，省略了保护膜及布线层。为了视觉辨认性，在图2中，仅将后述的电极间绝缘膜46用双点划线表示。