[发明专利]半导体装置

说明书

实施方式的半导体装置具备多个半导体元件、绝缘部件、第1端子、第2端子和多个控制端子。上述多个半导体元件分别包括半导体部、上述半导体部的背面上的第1电极、表面上的第2电极和上述表面上的控制电极，并且在从上述第1电极朝向上述第2电极的第1方向上排列。上述多个半导体元件被串联连接，包括一端的第1元件和另一端的第2元件。上述绝缘部件具有面向上述第1元件的第1表面和面向上述第2元件的第2表面。上述第1端子与上述第1元件的上述第1电极电连接，上述第2端子与上述第2元件的上述第2电极电连接，上述多个控制端子与上述控制电极电连接。上述第2端子及上述多个控制端子设在上述第1表面侧及上述第2表面侧的某一侧。

本申请基于日本专利申请第2021－43577号(申请日：2021年3月17 日)主张优先权，本申请通过参照该基础申请而引用基础申请的全部内容。

技术领域

本发明涉及半导体装置。

背景技术

通过将多个半导体元件串联连接，能够实现高耐压的半导体装置。但 是，如果将多个半导体元件平面配置，则电路基板上的半导体装置的安装 面积变大。

发明内容

本发明的目的是提供一种能够缩小安装面积的高耐压的半导体装置。

有关实施方式的半导体装置具备多个半导体元件、绝缘部件、第1端 子、第2端子和多个控制端子。上述多个半导体元件分别包括半导体部、 设在上述半导体部的背面上的第1电极、设在上述半导体部的与上述背面 相反侧的表面上的第2电极、以及设在上述半导体部的上述表面上并控制 在上述第1电极与上述第2电极之间流过的电流的控制电极，上述多个半 导体元件在从上述第1电极朝向上述第2电极的第1方向上排列。上述多 个半导体元件通过在上述第1方向上相邻的半导体元件之间将上述第2电 极与其他的第1电极电连接而被串联连接，包括设在上述串联连接的一端 的第1半导体元件和设在另一端的第2半导体元件。上述绝缘部件将风如 有在上述第1方向上排列的上述多个半导体元件，具有面向上述第1半导 体元件的第1表面和面向上述第2半导体元件的第2表面，上述第1表面及上述第2表面与上述第1方向交叉。上述第1端子与上述第1半导体元 件的上述第1电极电连接。上述第2端子与上述第2半导体元件的上述第2 电极电连接，设在上述绝缘部件的上述第1表面侧及上述第2表面侧的某 一方。上述多个控制端子，与上述多个半导体元件的上述控制电极分别电 连接，相互分离地设在上述绝缘部件的上述第1表面侧及上述第2表面侧 中的上述一方，并与上述第2端子分离。

附图说明

图1是表示有关第1实施方式的半导体装置的示意剖视图。

图2A及图2B是表示涉及第1实施方式的半导体元件的示意图。

图3A～图3C是表示涉及第1实施方式的半导体装置的示意图。

图4A及图4B是表示涉及第1实施方式的第1变形例的半导体装置的 示意图。

图5A～图8B是表示涉及第1实施方式的第1变形例的半导体装置的 制造过程的示意剖视图。

图9A～图9D是表示涉及第1实施方式的半导体装置的布线的示意图。

图10是表示涉及第1实施方式的第2变形例的半导体装置的示意剖视 图。

图11A～图14B是表示涉及第1实施方式的第2变形例的半导体装置 的制造过程的示意剖视图。

图15A～图15C是表示涉及第2实施方式的半导体装置的示意图。

图16A及图16B是表示涉及第2实施方式的半导体装置的另一示意图。

图17A～图17C是表示涉及第2实施方式的第1变形例的半导体装置 的示意图。

图18是表示涉及第2实施方式的第1变形例的半导体装置的另一示意 图。