[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

本公开内容涉及半导体器件及其制造方法。一种用于制造半导体器件的方法包括：提供半导体管芯；在半导体管芯上方布置电连接器，电连接器包括导电芯、布置在导电芯的第一侧上的吸收特征、以及布置在导电芯的与第一侧相对且面向半导体管芯的第二侧上的焊料层；以及通过用激光加热焊料层将电连接器焊接到半导体管芯上，其中，激光照射吸收特征，并且吸收的能量从吸收特征通过导电芯传递到焊料层。

技术领域

本公开内容总体上涉及半导体器件以及制造半导体器件的方法。

背景技术

用于制造半导体器件的方法可以例如包括将半导体管芯和电连接器彼此耦接的操作。这种耦接操作可以包括通过使用例如超声激励(ultrasonic excitation)来加热电连接器，以便形成熔接接头或焊接接头。此外，电连接器可以具有相对高的厚度，以便提供高载流量和/或高鲁棒性。这可能使得将电连接器焊接或熔接到半导体管芯成为问题，因为为了形成焊接接头或熔接接头，可能需要相对大量的能量。过热(例如熔接所需的温度)和/或过大的机械应力(例如由超声激励引起)可能损坏半导体管芯。改进的半导体器件和改进的制造半导体器件的方法可以帮助解决这些和其他问题。

通过独立权利要求的特征来解决本发明所基于的问题。在从属权利要求中描述了另外的有利示例。

发明内容

各个方面涉及一种用于制造半导体器件的方法，该方法包括：提供半导体管芯；在半导体管芯上方布置电连接器，电连接器包括导电芯、布置在导电芯的第一侧上的吸收特征(absorbing feature)、以及布置在导电芯的第二侧上的焊料层，第二侧与第一侧相对并且面向半导体管芯；以及通过用激光加热焊料层将电连接器焊接到半导体管芯上，其中，激光照射吸收特征，并且吸收的能量从吸收特征通过导电芯传递到焊料层。

各个方面涉及一种半导体器件，包括：半导体管芯和布置在半导体管芯上方的电连接器，电连接器包括导电芯、布置在导电芯的第一侧上并且背对半导体管芯的吸收特征、以及布置在导电芯的与第一侧相对的第二侧上并且将电连接器耦接到半导体管芯的焊接接头。

附图说明

附图示出了示例，并且与说明书一起用于解释本公开内容的原理。将易于理解本公开内容的其他示例和许多预期优点，因为通过参考以下的具体实施方式它们变得更好理解。附图中的元件不一定相对于彼此成比例。相同的附图标记标明相应的类似部件。

图1示出了包括半导体管芯和耦接到半导体管芯的电连接器的半导体器件的侧视图。

图2示出了另一半导体器件的侧视图，其中半导体管芯被布置在载体上，并且其中电连接器将半导体管芯耦接到载体。

图3A和图3B示出了图1和图2的电连接器的示例的截面图。

图4A至图4F示出了在根据用于制造半导体器件的示例性方法进行的制造的各个阶段的半导体器件。

图5是用于制造半导体器件的示例性方法的流程图。

具体实施方式

在以下具体实施方式中，可以参考所描述的(一个或多个)附图的取向来使用诸如“顶部”、“底部”、“左”、“右”、“上”、“下”等方向性术语。因为本公开内容的部件可以以多个不同的取向进行定位，所以方向性术语仅用于说明的目的。应当理解，可以利用其他示例，并且可以进行结构或逻辑改变。