[发明专利]一种双层Si3 在审
申请号: | 202110879652.7 | 申请日: | 2021-08-02 |
公开(公告)号: | CN113625394A | 公开(公告)日: | 2021-11-09 |
发明(设计)人: | 王金玉;余明斌;蔡艳 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | G02B6/122 | 分类号: | G02B6/122;G02B6/12;G02B6/136;G02B6/132;G02B6/30 |
代理公司: | 上海泰能知识产权代理事务所(普通合伙) 31233 | 代理人: | 黄志达 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 双层 si base sub | ||
1.一种边缘耦合器,其特征在于,由下到上包括衬底或SOI晶圆(1)、Si倒锥形结构波导(3)、双层Si3N4锥形结构;其中双层Si3N4锥形结构包括第一Si3N4锥形结构(4)和第二Si3N4锥形结构(5);第二Si3N4锥形结构(5)短且窄于第一Si3N4锥形结构(4)。
2.根据权利要求1所述边缘耦合器,其特征在于,所述还包括Si矩形波导(6),且Si矩形波导(6)与Si倒锥形结构(4)彼此垂直对齐。
3.根据权利要求1所述边缘耦合器,其特征在于,所述Si倒锥形结构波导(3)端面为锥形尖端;Si倒锥形结构波导和第一Si3N4锥形结构长度相同。
4.根据权利要求1所述边缘耦合器,其特征在于,所述衬底(1)和Si倒锥形结构波导(3)之间设有埋层硅氧化物(2),且厚度不小于3μm。
5.根据权利要求1所述边缘耦合器,其特征在于,所述Si倒锥形结构波导(3)、双层Si3N4锥形结构之间均设有硅氧化物层;第二Si3N4锥形结构(5)上表面设有上包层硅氧化物。
6.一种边缘耦合器的制备方法,包括:
(1)在SOI晶圆上刻蚀出Si倒锥形结构波导和矩形波导;
或Si衬底上先热氧化生长SiO2后沉积一层Si,通过光刻和刻蚀工艺形成Si倒锥形结构波导和矩形波导;
(2)沉积一层SiO2并抛平,然后沉积第一层Si3N4,通过光刻和刻蚀工艺形成下层的第一Si3N4锥形结构;
(3)沉积一层SiO2并抛平,沉积第二层Si3N4,通过光刻和刻蚀工艺形成上层窄的第二Si3N4锥形结构;
(4)沉积一层SiO2并抛平,在两侧采用刻蚀工艺形成脊型结构。
7.根据权利要求6所述制备方法,其特征在于,所述步骤(3)的第二Si3N4锥形结构短且窄于步骤(2)的第一Si3N4锥形结构。
8.根据权利要求6所述制备方法,其特征在于,所述步骤(2)所得第一Si3N4锥形结构长度与Si倒锥形结构波导的长度相同。
9.一种权利要求1所述边缘耦合器的应用。
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