[发明专利]一种合金贴片电阻、其加工设备以及加工工艺

权利要求书

1.一种合金贴片电阻加工工艺，其特征在于，包括以下步骤：

准备用于加工合金贴片电阻的电极带材和电阻体带材，将电极带材与电阻体带材采用激光焊接成拼接带材料；准备用于激光熔覆的熔覆材料，激光融化熔覆材料，将所述熔覆材料熔覆在拼接带材料的电阻体带材并在其上形成熔覆层，在对熔覆后的拼接带材料裁切形成合金贴片电阻。

2.如权利要求1所述的合金贴片电阻加工工艺，其特征在于，所述激光熔覆过程中的工艺参数包括：激光功率为2000W-5000W；激光扫描速度为8m/min-30m/min；激光熔覆时间为0.01s-0.08s；熔覆层厚度为0.1mm-0.5mm。

3.如权利要求1所述的合金贴片电阻加工工艺，其特征在于，将电极带材与电阻体带材采用激光焊接成拼接带材料时，还包括：

电极带材分别设置在电阻体带材两侧，并将电极带材和电阻体带材采用点焊进行预固定以利于激光焊接，预固定的电极带材和电阻体带材通过激光焊接形成拼接带材料，激光焊接过程中吹送惰性气体，且激光焊接的轨迹为在两点焊位置之间的直线状。

4.如权利要求1所述的合金贴片电阻加工工艺，其特征在于，所述激光焊接过程中的工艺参数包括：激光功率为600W-2500W；激光扫描速度为5m/min-20m/min；电极带材和电阻体带材传输速度为7m/min-15m/min；所述电极带材和电阻体带材的厚度为0.3mm-3mm。

5.如权利要求1所述的合金贴片电阻加工工艺，其特征在于，所述激光熔覆材料为氧化硅粉末，所述氧化硅粉末包括二氧化硅、陶瓷材料或者一氧化硅中的一种或两种以上组合。

6.如权利要求1所述的合金贴片电阻加工工艺，其特征在于，在激光融化熔覆材料前，对氧化硅粉末进行干燥处理，干燥温度为130℃-180℃。

7.如权利要求1所述的合金贴片电阻加工工艺，其特征在于，在将电极带材与电阻体带材采用激光焊接成拼接带材料后，还包括：

测定拼接带材料的阻值，对拼接带材料的电阻体带材以及与电阻体带材与电极带材焊接处进行激光除油和/或除杂处理，同时将拼接带材料在激光清理过程中的实时阻值与标准阈值进行对比以判断所述拼接带材料是否激光清理完全。

8.一种合金贴片电阻加工设备，其特征在于，包括电极带材放料架、电阻体带材放料架、激光焊接机构、激光熔覆机构以及收卷架，所述电极带材放料架、电阻体带材放料架设置在所述激光焊接机构的进料侧，并将电极带材和电阻体带材输送至激光焊接机构，焊接机构将电极带材与电阻体带材采用激光焊接成拼接带材料，激光焊接机构将拼接带材料输送至激光熔覆机构，激光熔覆机构将熔覆材料熔覆在拼接带材料的电阻体带材上以形成熔覆层，所述收卷架对完成熔覆的拼接带材料进行收卷操作。

9.如权利要求8所述的合金贴片电阻加工设备，其特征在于，还包括激光清理机构，所述激光清理机构设置在所述激光焊接机构与激光熔覆机构之间，所述激光清理机构对拼接带材料的电阻体带材以及与电阻体带材与电极带材焊接处进行激光除油和/或除杂处理，同时通过拼接带材料的实时阻值与标准阈值进行对比以判断所述拼接带材料是否激光清理完全。

10.一种合金贴片电阻，其特征在于，包括电极以及电阻体，所述电极通过激光焊接在所述电阻体两侧，所述电阻体上设置有熔覆层，所述电极包括主极片和连接极片，所述连接极片倾斜设置在所述主极片上，所述连接极片自由端与所述电阻体连接，使得电阻体相对于电极向内凹陷形成一熔覆凹槽。