[发明专利]非对称快速晶闸管在审

专利信息
申请号: 202110881031.2 申请日: 2021-08-02
公开(公告)号: CN113506823A 公开(公告)日: 2021-10-15
发明(设计)人: 高山城;赵涛;张猛;范晓波;赵卫 申请(专利权)人: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
主分类号: H01L29/74 分类号: H01L29/74
代理公司: 西安文盛专利代理有限公司 61100 代理人: 彭冬英
地址: 710077 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 对称 快速 晶闸管
【权利要求书】:

1.一种非对称快速晶闸管,其特征在于:从横向看,包括中心门极(1)、放大门极(2)、放大门极延伸枝条(3)、阴极(4)、台面(5);所述中心门极(1)位于器件正中心,为圆形;所述中心门极(1)外面设有放大门极(2),所述放大门极(2)为圆环形;所述放大门极延伸枝条(3)由一个线段状粗支干和两个圆弧状细支干组成,所述放大门极(2)左右对称各设有一个放大门极延伸枝条(3),所述阴极(4)上设有放大门极(2)、放大门极延伸枝条(3);所述放大门极延伸枝条(3)深入阴极(4)内部,且均匀地分隔阴极(4)区域;所述中心门极(1)与放大门极(2)之间设有中心隔离槽(6);所述放大门极(2)和放大门极延伸枝条(3)与阴极(4)之间设有隔离槽(7);所述台面(5)位于器件最外端,为圆环形,与阴极(4)相连;纵向分四层三端结构,四层分别为N2层、P2层、N1层和P1层;三端指G端、K端和A端,器件关于Y轴对称。

2.如权利要求书1所述的一种非对称快速晶闸管,其特征在于:

所述N2层为磷元素掺杂,浓度为8~9*1019个/cm3,深度为20±2μm;所述P2层为铝元素掺杂,浓度为1~2*1016个/cm3,深度为90±5μm;所述N1层为区熔高电阻硅单晶,浓度为1~2*1013个/cm3,厚度为620±10μm;所述P1层为硼元素掺杂,浓度为1~2*1014个/cm3,深度为20±10μm。

3.如权利要求书1所述的一种非对称快速晶闸管,其特征在于:所述中心门极(1)为圆形,直径5±0.1mm。

4.如权利要求书1所述的一种非对称快速晶闸管,其特征在于:所述放大门极(2)由两个线段状粗支干和两个圆弧状细支干组成,线段状粗支干宽度为2±0.1mm,长度为40±0.1mm;圆弧状细支干宽度1±0.1mm,弧度长分别为50±0.1mm和80±0.1mm。

5.如权利要求书1所述的一种非对称快速晶闸管,其特征在于:所述台面(4)宽度为3.5±0.1mm,深度为12±1μm。

6.如权利要求书1所述的一种非对称快速晶闸管,其特征在于:所述中心隔离槽(6)将中心门极(1)与放大门极(2)隔离开,宽度为1±0.1mm,深度为7±0.1μm。

7.如权利要求书1所述的一种非对称快速晶闸管,其特征在于:所述隔离槽(7)将放大门极(2)与阴极(3)相隔离,宽度为2±0.1mm,深度为7±0.1μm。

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