[发明专利]应用于磁盘阵列的掉盘故障自动恢复方法及系统在审
申请号: | 202110881357.5 | 申请日: | 2021-08-02 |
公开(公告)号: | CN113568776A | 公开(公告)日: | 2021-10-29 |
发明(设计)人: | 张德明;侯俊;陈东海;陈丹;刘杰 | 申请(专利权)人: | 湖南兴天电子科技有限公司 |
主分类号: | G06F11/07 | 分类号: | G06F11/07 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 赵琴娜 |
地址: | 410205 湖南省长沙市高新区麓谷大*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 应用于 磁盘阵列 故障 自动 恢复 方法 系统 | ||
1.一种应用于磁盘阵列的掉盘故障自动恢复系统,设置在磁盘阵列的电子盘和CPU之间,其特征在于,包括:
控制器;
第一总线,所述控制器通过所述第一总线与所述CPU的通信端相连;
第二总线,所述控制器通过所述第二总线与所述电子盘的通信端相连;
控制电路,所述控制器通过控制电路与所述电子盘的电源端相连以用于控制电子盘的电源状态。
2.根据权利要求1所述的应用于磁盘阵列的掉盘故障自动恢复系统,其特征在于:所述第一总线为PCIE总线。
3.根据权利要求1所述的应用于磁盘阵列的掉盘故障自动恢复系统,其特征在于:所述第二总线为SATA总线。
4.根据权利要求1所述的应用于磁盘阵列的掉盘故障自动恢复系统,其特征在于:所述第一总线和第二总线上皆串联有第一电容以用于实现信号耦合和信号电平匹配。
5.根据权利要求1所述的应用于磁盘阵列的掉盘故障自动恢复系统,其特征在于:所述控制电路包括NMOS管和PMOS管,所述控制器的IO口连接NMOS管的栅极,所述NMOS管的源极接地,所述NMOS管的漏极连接所述PMOS管的栅极,所述PMOS管的漏极用于连接低压工作电源,所述PMOS管的源极连接所述电子盘的电源端。
6.根据权利要求5所述的应用于磁盘阵列的掉盘故障自动恢复系统,其特征在于:所述控制器的IO口与所述NMOS管的栅极之间设置有限流电阻。
7.根据权利要求5所述的应用于磁盘阵列的掉盘故障自动恢复系统,其特征在于:所述NMOS管的栅极通过互相并联的第二电容和第三电容接地,所述第二电容用于实现电子盘的缓启动,所述第三电容用于滤除高频杂波。
8.根据权利要求5所述的应用于磁盘阵列的掉盘故障自动恢复系统,其特征在于:所述PMOS管的栅极通过上拉电阻连接低压工作电源。
9.根据权利要求1所述的应用于磁盘阵列的掉盘故障自动恢复系统,其特征在于:所述控制器为FPGA。
10.一种应用于磁盘阵列的掉盘故障自动恢复方法,其特征在于,包括以下步骤:
CPU发送读写命令给控制器,控制器接收读写命令后通过通信端口对电子盘进行读写操作并将结果反馈给CPU;
若电子盘读写正常,则CPU继续进行读写步骤,若电子盘读写不正常,则CPU通过控制器向电子盘发送软复位命令;
软复位命令发送完成后控制器再次通过通信端口对电子盘进行读写操作,若电子盘读写恢复正常则CPU继续进行读写步骤;若电子盘读写依然无法正常时CPU发送断电重启命令给控制器,控制器通过控制电路对电子盘进行断电重启;
断电重启后控制器再次通过通信端口对电子盘进行读写操作,若电子盘的读写恢复正常则CPU继续进行读写步骤,若电子盘读写不正常则继续重复进行断电重启步骤直到电子盘读写恢复正常。
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