[发明专利]一种有源倍频器、倍频放大电路及MMIC芯片

权利要求书

1.一种有源倍频器，其特征在于，包括依次连接的输入匹配网络(1)、耦合网络(2)、有源倍频核(3)以及输出匹配网络(4)，其中，

所述耦合网络(2)包括功分器网络(21)和耦合器网络(22)；所述输入匹配网络(1)的一端连接信号输入端，另一端连接所述功分器网络(21)的输入端；所述功分器网络(21)的输出端连接所述耦合器网络(22)的输入端，所述耦合器网络(22)的输出端连接所述倍频核(3)。

2.根据权利要求1所述的有源倍频器，其特征在于，所述输入匹配网络(1)包括串联的第一电容(C1)和第一微带线(L1)，所述第一电容(C1)的一端作为整个有源倍频器的输入端接入输入信号，所述第一微带线(L1)的一端连接所述功分器网络(21)的输入端。

3.根据权利要求1所述的有源倍频器，其特征在于，所述功分器网络(21)包括一个二功率分配器，以将一路输入信号均分为两路输出。

4.根据权利要求3所述的有源倍频器，其特征在于，所述耦合器网络(22)包括耦合器1和第二耦合器2，其中，

所述耦合器1的和所述耦合器2的输入端分别连接所述二功率分配器的两个输出端；

所述耦合器1的耦合端和直通端开路，所述耦合器2的耦合端和直通端接地；

所述耦合器11和所述耦合器2的隔离端作为耦合器网络(22)的输出连接所述有源倍频核(3)。

5.根据权利要求1所述的有源倍频器，其特征在于，所述有源倍频核(3)包括第一晶体管(M1)和第二晶体管(M2)，其中，

所述第一晶体管(M1)的栅极连接所述耦合器1的耦合端，所述第二晶体管(M2)的栅极连接所述耦合器2的隔离端；

所述第一晶体管(M1)和所述第二晶体管(M2)的源极均接地；

所述第一晶体管(M1)和所述第二晶体管(M2)的漏极连接并作为有源倍频核(3)的输出连接所述输出匹配网络(4)。

6.根据权利要求5所述的有源倍频器，其特征在于，所述第一晶体管(M1)和第二晶体管(M2)均由GaN HEMT工艺制备而成。

7.根据权利要求5所述的有源倍频器，其特征在于，所述输出匹配网络(4)包括第二微带线(L2)、第三微带线(L3)、第二电容(C2)和第三电容(C3)；其中，

所述第二微带线(L2)的第一端连接所述第一晶体管(M1)和所述第二晶体管(M2)的漏极公共端，所述第二微带线(L2)的第二端连接所述第三微带线(L3)、所述第二电容(C2)的第一端、所述第三电容(C3)的第一端；

所述第三微带线(L3)为开路微带线；

所述第二电容(C2)的第二端接地；

所述第三电容(C3)的第二端作为整个有源倍频器的输出端(Term2)。

8.一种倍频放大电路，其特征在于，包括一个或者多个级联的权利要求1-7任一项所述的有源倍频器，所述最后一级有源倍频器的输出端连接功率放大器，其中，级联的多个有源倍频器之间设有级间匹配网络。

9.一种用于雷达射频前端模块的有源倍频MMIC芯片，其特征在于，所述芯片内部封装设置有至少一个如权利要求1-7任一项所述的有源倍频器。