[发明专利]像素驱动电路以及移动终端在审
申请号: | 202110882071.9 | 申请日: | 2021-08-02 |
公开(公告)号: | CN113674702A | 公开(公告)日: | 2021-11-19 |
发明(设计)人: | 胡道兵 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G09G3/34 | 分类号: | G09G3/34;G09G3/30;G09G3/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 宋煜 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 驱动 电路 以及 移动 终端 | ||
本发明提供了一种像素驱动电路以及移动终端,该像素驱动电路包括:用以根据扫描线上的扫描信号接收数据线上的数据信号的开关薄膜晶体管、与开关薄膜晶体管电连接且用以被数据信号充电的存储模块以及驱动发光模块,驱动发光模块包括串联连接的驱动单元、发光单元以及分压晶体管,且具有电源电压接入端口以及接地端口,用以被数据信号驱动而发光,其中,分压晶体管串联于驱动单元与接地端口之间,本发明中的驱动单元在被分压晶体管分压后,根据数据信号驱动发光单元发光,从而在数据信号发生变化时,发光单元中的电流可以缓慢增加,减小了由于数据信号的变化而带来的发光单元中的电流的变化,进而使得该像素驱动电路可以实现高灰阶下的显示控制。
技术领域
本发明涉及显示面板技术领域,尤其涉及一种像素驱动电路以及移动终端。
背景技术
Mini-LED背光相比于传统背光,具有优异的对比度。目前的Mini-LED显示面板的驱动架构多以2T1C为主,而发光二极管(Light-Emitting Diode,LED)为电流驱动器件,有源矩阵驱动技术下的显示面板的背板信号为电压控制,因此,在这种技术下,对薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)器件的稳定性要求非常高,特别是用作驱动发光二极管的驱动薄膜晶体管的稳定性以及均一性会直接影响到发光二极管的发光亮度。
在现有设计下,通常是将金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET,也即MOS管)作为像素驱动电路中的驱动晶体管,但是,由于金属氧化物半导体场效应晶体管主要工作在饱和区,其栅极接收到的数据电压发生的较小变化就会导致其漏极的电流发生较大变化,从而导致该设计下的像素驱动电路无法实现高灰阶下的显示控制。
发明内容
本发明提供了一种像素驱动电路以及移动终端,有效地改善了像素驱动电路无法实现高灰阶下的显示控制的问题。
为了解决上述问题,本发明提供了一种像素驱动电路,应用于显示面板,所述显示面板包括扫描线以及数据线,所述像素驱动电路包括:
开关薄膜晶体管,用以根据所述扫描线上的扫描信号接收所述数据线上的数据信号;
存储模块,与所述开关薄膜晶体管电连接,用以被所述数据信号充电;
驱动发光模块,包括串联连接的驱动单元、发光单元以及分压晶体管,且具有电源电压接入端口以及接地端口,用以被所述数据信号驱动而发光,其中,所述分压晶体管串联于所述驱动单元与所述接地端口之间。
进一步优选的,所述显示面板的灰阶级数与所述分压晶体管的阻值成正比。
进一步优选的,所述分压晶体管为分压薄膜晶体管,所述分压薄膜晶体管的栅极和漏极电连接,且所述分压薄膜晶体管的沟道宽度和沟道长度的比值与所述灰阶级数成正比。
进一步优选的,所述像素驱动电路还包括控制模块,所述控制模块用以对所述像素驱动电路接入的电源电压进行调节而使所述分压薄膜晶体管工作在线性区或饱和区。
进一步优选的,所述开关薄膜晶体管以及所述分压薄膜晶体管为非晶硅薄膜晶体管或铟镓锌氧化物薄膜晶体管。
进一步优选的,所述分压晶体管的数量为多个,多个所述分压晶体管串联连接及/或并联连接。
进一步优选的,所述存储单元包括电容,所述电容的一端与所述开关薄膜晶体管以及所述驱动发光模块电连接,所述电容的另一端与所述接地端口电连接。
进一步优选的,所述驱动单元包括金属氧化物半导体场效应管,所述金属氧化物半导体场效应管的栅极与所述开关薄膜晶体管以及所述存储模块电连接,所述金属氧化物半导体场效应管的漏极与所述电源电压接入端口电连接,所述金属氧化物半导体场效应管的源极与所述接地端口电连接。
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