[发明专利]NOR型存储器件及其制造方法及包括存储器件的电子设备

权利要求书

1.一种NOR型存储器件，包括：

衬底上的存储器件层，其中，所述存储器件层包括在竖直方向上处于相对两端的第一源/漏区和第二源/漏区以及在竖直方向上处于所述第一源/漏区与所述第二源/漏区之间的第一沟道区；

相对于所述衬底竖直延伸以穿过所述存储器件层的第一栅堆叠，所述第一栅堆叠包括第一栅导体层和设置在所述第一栅导体层与所述存储器件层之间的存储功能层，在所述第一栅堆叠与所述存储器件层相交之处限定存储单元；

所述存储器件层上的选择器件层，包括在所述竖直方向上处于相对两端的第三源/漏区和第四源/漏区以及在所述竖直方向上处于所述第三源/漏区与所述第四源/漏区之间的第二沟道区；

设置在所述第一栅堆叠上方的第二栅堆叠，相对于所述衬底竖直延伸以穿过所述选择器件层；以及

连接部，将所述第三源/漏区电连接到所述第一栅导体层。

2.根据权利要求1所述的NOR型存储器件，包括叠置在所述衬底上的多个所述存储器件层，

其中，所述第一栅堆叠延伸穿过各个所述存储器件层，以及

其中，所述选择器件层设置在最上的存储器件层上方。

3.根据权利要求1所述的NOR型存储器件，其中，所述连接部在所述竖直方向上介于所述第一栅堆叠和所述第二栅堆叠之间，且所述第一栅堆叠、所述连接部和所述第二栅堆叠在所述竖直方向上自对准。

4.根据权利要求1所述的NOR型存储器件，其中，

所述第二栅堆叠包括第二栅导体层和设置在所述第二栅导体层与所述选择器件层之间的栅介质层，

所述第二栅堆叠设置在所述连接部上，且所述栅介质层还延伸到所述第二栅导体层与所述连接部之间。

5.根据权利要求3或4所述的NOR型存储器件，其中，所述连接部包括导电层，所述导电层在底面处与所述第一栅导体层相接触，且在侧面处与所述第三源/漏区相接触。

6.根据权利要求2所述的NOR型存储器件，还包括：

介于所述多个存储器件层以及所述选择器件层中的相邻层之间的隔离层。

7.根据权利要求1或2所述的NOR型存储器件，其中，每个所述存储器件层中的所述第一源/漏区和所述第二源/漏区之一电连接到相应的位线，而另一个电连接到相应的源极线。

8.根据权利要求1或2所述的NOR型存储器件，包括：

多个所述第一栅堆叠，其中，在平面图中，所述多个第一栅堆叠在彼此相交的第一方向和第二方向上布置成阵列；

多个所述第二栅堆叠，分别设置在多个所述第一栅堆叠中的相应第一栅堆叠上方，其中，所述选择器件层包括分别绕所述多个第二栅堆叠的分离部分，以限定多个选择晶体管，所述多个选择晶体管布置成阵列，所述阵列包括所述第一方向上的行和所述第二方向上的列；

沿所述第一方向延伸、且在所述第二方向上排列的多条字线，分别电连接到相应行的选择晶体管的第四/源漏区；以及

沿所述第二方向延伸、且在所述第一方向上排列的多条选择线，分别电连接到相应列的选择晶体管的第二栅堆叠。

9.根据权利要求8所述的NOR型存储器件，其中，所述字线包括绕相应行的选择晶体管外周的导电层，所述导电层接触相应行的选择晶体管的第四源/漏区。

10.根据权利要求1或2所述的NOR型存储器件，其中，所述存储功能层包括电荷捕获材料或铁电材料中至少之一。

11.根据权利要求1或2所述的NOR型存储器件，其中，所述存储器件层和所述选择器件层均包括单晶半导体材料。