[发明专利]NOR型存储器件及其制造方法及包括存储器件的电子设备

权利要求书

1.一种NOR型存储器件，包括：

在衬底上竖直延伸的第一栅堆叠，所述第一栅堆叠包括栅导体层和存储功能层；以及

围绕所述第一栅堆叠的外周、沿所述第一栅堆叠的侧壁延伸的第一半导体层，

其中，所述存储功能层介于所述第一半导体层与所述栅导体层之间，

其中，所述第一半导体层包括在竖直方向上依次设置的第一源/漏区、第一沟道区和第二源/漏区，以及

其中，在所述第一栅堆叠与所述第一半导体层相交之处限定存储单元，

所述NOR型存储器件还包括围绕所述第一半导体层的第一沟道区的外周的导电屏蔽层以及介于所述第一半导体层的第一沟道区与所述导电屏蔽层之间的电介质层。

2.根据权利要求1所述的NOR型存储器件，还包括：

横向延伸的第一互连层，围绕所述第一半导体层的第一源/漏区的外周；以及

横向延伸的第二互连层，围绕所述第一半导体层的第二源/漏区的外周，

其中，所述电介质层还介于所述导电屏蔽层与所述第一互连层之间以及所述导电屏蔽层与所述第二互连层之间。

3.根据权利要求2所述的NOR型存储器件，还包括：

多个所述第一栅堆叠，各个所述第一栅堆叠竖直延伸穿过所述第一互连层与所述第二互连层；

分别围绕各个所述第一栅堆叠的外周、沿相应第一栅堆叠的侧壁延伸的多个所述第一半导体层，各个所述第一半导体层相对于衬底处于实质上相同的高度，且竖直延伸穿过所述第一互连层与所述第二互连层，

其中，所述导电屏蔽层在所述第一互连层与所述第二互连层之间在横向上延伸以围绕各个所述第一半导体层的外周，且所述电介质层延伸以介于所述导电屏蔽层与所述第一半导体层之间、所述导电屏蔽层与所述第一互连层之间以及所述导电屏蔽层与所述第二互连层之间。

4.根据权利要求3所述的NOR型存储器件，

其中，各个所述第一半导体层还包括在竖直方向上依次设置的第二沟道区和第三源/漏区，使得所述第二沟道区在竖直方向上处于所述第二源/漏区与所述第三源/漏区之间，从而在所述第一栅堆叠与各个所述第一半导体层相交之处限定彼此叠置的两个存储单元，

所述NOR型存储器件还包括：

横向延伸的第三互连层，围绕各个所述第一半导体层的第三源/漏区的外周；

在所述第二互连层与所述第三互连层之间在横向上延伸以围绕各个所述第一半导体层的外周的另一导电屏蔽层；以及

介于所述另一导电屏蔽层与所述第一半导体层之间、所述另一导电屏蔽层与所述第二互连层之间以及所述另一导电屏蔽层与所述第三互连层之间的另一电介质层，

其中，所述第一互连层、所述第二互连层和所述第三互连层中包括在竖直方向上延伸的切口，所述导电屏蔽层和所述另一导电屏蔽层在所述切口中一体延伸，所述电介质层和所述另一电介质层在所述切口中一体延伸。

5.根据权利要求4所述的NOR型存储器件，其中，所述衬底包括器件区以及与器件区相邻的接触区，所述存储单元形成在所述器件区上，

所述第一互连层、所述第二互连层和所述第三互连层分别从器件区沿第一方向延伸至所述接触区，

所述切口沿所述第一方向延伸。

6.根据权利要求5所述的NOR型存储器件，还包括：

彼此不同的第一位线和第二位线；以及

源极线，

其中，所述第一互连层和所述第三互连层分别电连接到所述第一位线和所述第二位线，所述第二互连层电连接到所述源极线。

7.根据权利要求4所述的NOR型存储器件，其中，所述第一互连层、所述第二互连层和所述第三互连层包括掺杂的单晶半导体材料。