[发明专利]钙钛矿器件及其制备方法和钙钛矿层前驱液有效

专利信息
申请号: 202110883627.6 申请日: 2021-08-03
公开(公告)号: CN113707815B 公开(公告)日: 2023-06-30
发明(设计)人: 吴永伟 申请(专利权)人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H10K85/20 分类号: H10K85/20;H10K85/30;H10K85/60;H10K50/00;H10K30/00;H10K71/15
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 黄舒悦
地址: 518132 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 钙钛矿 器件 及其 制备 方法 矿层 前驱
【说明书】:

本申请公开了一种钙钛矿器件及其制备方法和钙钛矿层前驱液,钙钛矿器件包括钙钛矿层,钙钛矿层的材料包括钙钛矿主体和添加剂,添加剂包括第一添加剂和第二添加剂,第一添加剂包括多卤代芳烃,第二添加剂包括芳烃。在本申请中,通过加入第一添加剂和第二添加剂,提高钙钛矿主体的结晶速度,从而提高形成钙钛矿层的速度,同时,提高钙钛矿主体的结晶性能,从而提高钙钛矿器件的性能。

技术领域

本申请涉及显示技术领域,具体涉及一种钙钛矿器件及其制备方法和钙钛矿层前驱液。

背景技术

目前,因钙钛矿材料具有可溶液加工、可兼容柔性器件结构、可实现光谱位置连续可调、材料成本低且具有良好的电子和空穴传输性能以及良好的色纯度,被广泛的应用于各类器件中。

在实际应用中,钙钛矿材料通常以多晶薄膜的形式存在,但是,目前的钙钛矿材料的结晶速度缓慢,且复杂,使得器件的生产效率低,且生成的结晶性能差。

发明内容

本申请实施例提供一种钙钛矿器件及其制备方法和钙钛矿层前驱液,以解决现有技术中钙钛矿主体结晶慢的问题。

本申请提供一种钙钛矿器件,所述钙钛矿器件包括钙钛矿层,所述钙钛矿层的材料包括钙钛矿主体和添加剂,所述添加剂包括第一添加剂和第二添加剂,所述第一添加剂包括多卤代芳烃,所述第二添加剂包括芳烃,所述钙钛矿主体的化学式为A2Bn-1CnX3n+1和BCX3中的一种或几种组合,其中,n≥1,所述n为正整数,所述A选自R1-NH3+和和D-R2-NH3+中的一种或多种组合,所述R1为C6-C20的芳香基或C1-C20的烷基,所述R3为C6-C20的芳香基,所述D包括F、Cl、Br和I中的一种或多种组合,所述B选自R3-NH3+、NH=R4-NH3+、Cs+和Rb+中的一种或多种组合,所述R3为C1-C20的烷基,所述R4为C1-C20的烃基,所述C选自Pb2+和Sn2+中的一种或两种组合,所述X为卤族元素。

可选的,在本申请的一些实施例中,所述第一添加剂为多氟代芳烃和多氯代芳烃中的一种或几种组合,所述第二添加剂为苯、甲苯、苯甲醚、联苯、苯乙烯、萘、蒽、菲和三苯甲烷中的一种或几种组合。

可选的,在本申请的一些实施例中,所述第一添加剂为苯三氯甲烷、六氟苯、五氟硝基苯和六氯苯中的一种或几种组合。

可选的,在本申请的一些实施例中,在所述添加剂中,所述第一添加剂与所述第二添加剂的摩尔比为(0.8-1.2):1。

可选的,在本申请的一些实施例中,所述R1-NH3+为苯乙胺离子或正丁胺离子,所述D-R2-NH3+为卤代苯乙胺离子,所述R3-NH3+为甲胺离子,所述NH=R4-NH3+为甲脒离子。

相应的,本申请还提供一种钙钛矿器件的制备方法,包括:

提供一衬底;

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